500mA, 30V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 |
| 厂商名称 | Texas Instruments(德州仪器) |
| 包装说明 | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 |
| Reach Compliance Code | unknown |
| ECCN代码 | EAR99 |
| 最大集电极电流 (IC) | 0.5 A |
| 基于收集器的最大容量 | 8 pF |
| 集电极-发射极最大电压 | 30 V |
| 配置 | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE) | 100 |
| JEDEC-95代码 | TO-236AB |
| JESD-30 代码 | R-PDSO-G3 |
| JESD-609代码 | e0 |
| 元件数量 | 1 |
| 端子数量 | 3 |
| 最高工作温度 | 150 °C |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALL OUTLINE |
| 极性/信道类型 | NPN |
| 最大功率耗散 (Abs) | 0.225 W |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 表面贴装 | YES |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式 | GULL WING |
| 端子位置 | DUAL |
| 晶体管应用 | SWITCHING |
| 晶体管元件材料 | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT) | 250 MHz |
| 最大关闭时间（toff） | 285 ns |
| 最大开启时间（吨） | 35 ns |
| VCEsat-Max | 1.6 V |
| MMBT2222 | MMBT4400 | |
|---|---|---|
| 描述 | 500mA, 30V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB | 600mA, 40V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB |
| 是否Rohs认证 | 不符合 | 不符合 |
| 厂商名称 | Texas Instruments(德州仪器) | Texas Instruments(德州仪器) |
| 包装说明 | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 |
| Reach Compliance Code | unknown | unknown |
| ECCN代码 | EAR99 | EAR99 |
| 最大集电极电流 (IC) | 0.5 A | 0.6 A |
| 集电极-发射极最大电压 | 30 V | 40 V |
| 配置 | SINGLE | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE) | 100 | 50 |
| JEDEC-95代码 | TO-236AB | TO-236AB |
| JESD-30 代码 | R-PDSO-G3 | R-PDSO-G3 |
| JESD-609代码 | e0 | e0 |
| 元件数量 | 1 | 1 |
| 端子数量 | 3 | 3 |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALL OUTLINE | SMALL OUTLINE |
| 极性/信道类型 | NPN | NPN |
| 最大功率耗散 (Abs) | 0.225 W | 0.35 W |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified |
| 表面贴装 | YES | YES |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式 | GULL WING | GULL WING |
| 端子位置 | DUAL | DUAL |
| 晶体管应用 | SWITCHING | SWITCHING |
| 晶体管元件材料 | SILICON | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT) | 250 MHz | 200 MHz |
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