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MTD20N06HD

产品描述Power MOSFET 20 Amps, 60 Volts N−Channel DPAK
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小286KB,共11页
制造商ON Semiconductor(安森美)
官网地址http://www.onsemi.cn
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MTD20N06HD概述

Power MOSFET 20 Amps, 60 Volts N−Channel DPAK

MTD20N06HD规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称ON Semiconductor(安森美)
包装说明SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数3
制造商包装代码CASE 369C-01
Reach Compliance Code_compli
ECCN代码EAR99
Is SamacsysN
Base Number Matches1

MTD20N06HD相似产品对比

MTD20N06HD MTD20N06HD-1 MTD20N06HDT4
描述 Power MOSFET 20 Amps, 60 Volts N−Channel DPAK Power MOSFET 20 Amps, 60 Volts N−Channel DPAK Power MOSFET 20 Amps, 60 Volts N−Channel DPAK
厂商名称 ON Semiconductor(安森美) ON Semiconductor(安森美) ON Semiconductor(安森美)
包装说明 SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 CASE 369D-01, DPAK-3 SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数 3 3 3
制造商包装代码 CASE 369C-01 CASE 369D-01 369C
Reach Compliance Code _compli _compli _compli
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99
是否Rohs认证 不符合 不符合 -
Is Samacsys N - N
Base Number Matches 1 - 1
雪崩能效等级(Eas) - 60 mJ 60 mJ
外壳连接 - DRAIN DRAIN
配置 - SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 - 60 V 60 V
最大漏极电流 (Abs) (ID) - 20 A 20 A
最大漏极电流 (ID) - 20 A 20 A
最大漏源导通电阻 - 0.045 Ω 0.045 Ω
FET 技术 - METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码 - R-PSIP-T3 R-PSSO-G2
JESD-609代码 - e0 e0
湿度敏感等级 - 1 1
元件数量 - 1 1
端子数量 - 3 2
工作模式 - ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 - 150 °C 150 °C
封装主体材料 - PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 - RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 - IN-LINE SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度) - NOT SPECIFIED 240
极性/信道类型 - N-CHANNEL N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs) - 40 W 40 W
最大脉冲漏极电流 (IDM) - 60 A 60 A
认证状态 - Not Qualified Not Qualified
表面贴装 - NO YES
端子面层 - Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 - THROUGH-HOLE GULL WING
端子位置 - SINGLE SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间 - NOT SPECIFIED 30
晶体管应用 - SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 - SILICON SILICON

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