电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索
 PDF数据手册

MMBT3904R5G

产品描述Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon,
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小216KB,共4页
制造商Taiwan Semiconductor
官网地址http://www.taiwansemi.com/
标准
下载文档 详细参数 选型对比 全文预览

MMBT3904R5G概述

Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon,

MMBT3904R5G规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称Taiwan Semiconductor
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Codecompliant
最大集电极电流 (IC)0.2 A
集电极-发射极最大电压40 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)30
JESD-30 代码R-PDSO-G3
元件数量1
端子数量3
最低工作温度-55 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型NPN
表面贴装YES
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)250 MHz
最大关闭时间(toff)250 ns
最大开启时间(吨)70 ns

MMBT3904R5G相似产品对比

MMBT3904R5G MMBT3904-B0R5G MMBT3904-D0R5G MMBT3904R5
描述 Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon,
是否Rohs认证 符合 符合 符合 符合
厂商名称 Taiwan Semiconductor Taiwan Semiconductor Taiwan Semiconductor Taiwan Semiconductor
包装说明 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code compliant compliant compliant compliant
最大集电极电流 (IC) 0.2 A 0.2 A 0.2 A 0.2 A
集电极-发射极最大电压 40 V 40 V 40 V 40 V
配置 SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE
最小直流电流增益 (hFE) 30 30 30 30
JESD-30 代码 R-PDSO-G3 R-PDSO-G3 R-PDSO-G3 R-PDSO-G3
元件数量 1 1 1 1
端子数量 3 3 3 3
最低工作温度 -55 °C -55 °C -55 °C -55 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
极性/信道类型 NPN NPN NPN NPN
表面贴装 YES YES YES YES
端子形式 GULL WING GULL WING GULL WING GULL WING
端子位置 DUAL DUAL DUAL DUAL
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON SILICON
标称过渡频率 (fT) 250 MHz 250 MHz 250 MHz 250 MHz
最大关闭时间(toff) 250 ns 250 ns 250 ns 250 ns
最大开启时间(吨) 70 ns 70 ns 70 ns 70 ns

技术资料推荐更多

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 国产芯 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程 索引文件: 502  870  886  1055  1070 

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved