Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon,
参数名称 | 属性值 |
是否Rohs认证 | 符合 |
厂商名称 | Taiwan Semiconductor |
包装说明 | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 |
Reach Compliance Code | compliant |
最大集电极电流 (IC) | 0.2 A |
集电极-发射极最大电压 | 40 V |
配置 | SINGLE |
最小直流电流增益 (hFE) | 30 |
JESD-30 代码 | R-PDSO-G3 |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 3 |
最低工作温度 | -55 °C |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型 | NPN |
表面贴装 | YES |
端子形式 | GULL WING |
端子位置 | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
晶体管元件材料 | SILICON |
标称过渡频率 (fT) | 250 MHz |
最大关闭时间(toff) | 250 ns |
最大开启时间(吨) | 70 ns |
MMBT3904R5G | MMBT3904-B0R5G | MMBT3904-D0R5G | MMBT3904R5 | |
---|---|---|---|---|
描述 | Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, | Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, | Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, | Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, |
是否Rohs认证 | 符合 | 符合 | 符合 | 符合 |
厂商名称 | Taiwan Semiconductor | Taiwan Semiconductor | Taiwan Semiconductor | Taiwan Semiconductor |
包装说明 | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 |
Reach Compliance Code | compliant | compliant | compliant | compliant |
最大集电极电流 (IC) | 0.2 A | 0.2 A | 0.2 A | 0.2 A |
集电极-发射极最大电压 | 40 V | 40 V | 40 V | 40 V |
配置 | SINGLE | SINGLE | SINGLE | SINGLE |
最小直流电流增益 (hFE) | 30 | 30 | 30 | 30 |
JESD-30 代码 | R-PDSO-G3 | R-PDSO-G3 | R-PDSO-G3 | R-PDSO-G3 |
元件数量 | 1 | 1 | 1 | 1 |
端子数量 | 3 | 3 | 3 | 3 |
最低工作温度 | -55 °C | -55 °C | -55 °C | -55 °C |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
封装形式 | SMALL OUTLINE | SMALL OUTLINE | SMALL OUTLINE | SMALL OUTLINE |
极性/信道类型 | NPN | NPN | NPN | NPN |
表面贴装 | YES | YES | YES | YES |
端子形式 | GULL WING | GULL WING | GULL WING | GULL WING |
端子位置 | DUAL | DUAL | DUAL | DUAL |
晶体管元件材料 | SILICON | SILICON | SILICON | SILICON |
标称过渡频率 (fT) | 250 MHz | 250 MHz | 250 MHz | 250 MHz |
最大关闭时间(toff) | 250 ns | 250 ns | 250 ns | 250 ns |
最大开启时间(吨) | 70 ns | 70 ns | 70 ns | 70 ns |
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