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Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 二极管> 1N4934GX0
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1N4934GX0

产品描述Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 100V V(RRM), Silicon, DO-41,
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小253KB，共4页
制造商Taiwan Semiconductor
官网地址http://www.taiwansemi.com/
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1N4934GX0概述

Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 100V V(RRM), Silicon, DO-41,

1N4934GX0规格参数

参数名称属性值
厂商名称Taiwan Semiconductor
包装说明O-PALF-W2
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
其他特性HIGH RELIABILITY, LOW POWER LOSS
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
JEDEC-95代码DO-41
JESD-30 代码O-PALF-W2
元件数量1
端子数量2
最高工作温度150 °C
最低工作温度-65 °C
最大输出电流1 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
最大重复峰值反向电压100 V
最大反向恢复时间0.2 µs
表面贴装NO
端子形式WIRE
端子位置AXIAL

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1N4933G - 1N4937G
1.0 AMP. Glass Passivated Fast Recovery Rectifiers
DO-41
Features
Glass passivated chip junction
High efficiency, Low VF
High current capability
High reliability
High surge current capability
Low power loss
Green compound with suffix "G" on packing
code & prefix "G" on datecode
Mechanical Data
Cases: Molded plastic DO-41
Epoxy: UL 94V-0 rate flame retardant
Lead: Pure tin plated, lead free, solderable per
MIL-STD-202, Method 208 guaranteed
Polarity: Color band denotes cathode end
High temperature soldering guaranteed: 260℃/10s
/.375", (9.5mm) lead lengths at 5 lbs, (2.3kg) tension
Weight: 0.34 grams
Ordering Information (example)
Part No.
1N4933G
Package
DO-41
Packing
3K / AMMO box
INNER
TAPE
52mm
Packing
code
A0
Green Compound
Packing code
A0G
Maximum Ratings and Electrical Characteristics
Rating at 25
℃
ambient temperature unless otherwise specified.
Single phase, half wave, 60 Hz, resistive or inductive load.
For capacitive load, derate current by 20%
Type Number
Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage
Maximum RMS Voltage
Maximum DC Blocking Voltage
Maximum Average Forward Rectified Current
Peak Forward Surge Current, 8.3 ms Single Half Sine-wave
Superimposed on Rated Load (JEDEC method)
Maximum Instantaneous Forward Voltage (Note 1)
@1A
Maximum DC Reverse Current at
Rated DC Blocking Voltage
Typical Junction Capacitance (Note 3)
Typical Thermal Resistance
Operating Temperature Range
Storage Temperature Range
Note1: Pulse Test with PW=300 usec, 1% Duty Cycle
@ T
A
=25
℃
@ T
A
=125℃
Symbol
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
F(AV)
I
FSM
V
F
I
R
Trr
Cj
R
θjA
T
J
T
STG
1N
1N
1N
1N
1N
4933G 4934G 4935G 4936G 4937G
50
100
200
400
600
35
50
70
100
140
200
1
30
1.2
5
150
200
10
65
- 65 to + 150
- 65 to + 150
280
400
420
600
Units
V
V
V
A
A
V
uA
nS
pF
O
Maximum Reverse Recovery Time (Note 2)
C/W
O
O
C
C
Note2: Reverse Recovery Test Conditions: IF=1.0A, IR=1.0A, IRR=0.25A
Note3: Measured at 1 MHz and Applied Reverse Voltage of 4.0V D.C.
Version:D12

1N4934GX0相似产品对比

1N4934GX0 1N4933GX0 1N4933GX0G 1N4934GX0G 1N4935GX0 1N4935GX0G 1N4936GX0 1N4936GX0G 1N4937GX0 1N4937GX0G
描述 Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 100V V(RRM), Silicon, DO-41, Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 50V V(RRM), Silicon, DO-41, Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 50V V(RRM), Silicon, DO-41, Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 100V V(RRM), Silicon, DO-41, Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 200V V(RRM), Silicon, DO-41, Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 200V V(RRM), Silicon, DO-41, Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 400V V(RRM), Silicon, DO-41, Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 400V V(RRM), Silicon, DO-41, Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 600V V(RRM), Silicon, DO-41, Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 600V V(RRM), Silicon, DO-41,
厂商名称 Taiwan Semiconductor Taiwan Semiconductor Taiwan Semiconductor Taiwan Semiconductor Taiwan Semiconductor Taiwan Semiconductor Taiwan Semiconductor Taiwan Semiconductor Taiwan Semiconductor Taiwan Semiconductor
Reach Compliance Code compliant compliant compliant compliant compliant compliant compliant compliant compliant compliant
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
其他特性 HIGH RELIABILITY, LOW POWER LOSS HIGH RELIABILITY, LOW POWER LOSS HIGH RELIABILITY, LOW POWER LOSS HIGH RELIABILITY, LOW POWER LOSS HIGH RELIABILITY, LOW POWER LOSS HIGH RELIABILITY, LOW POWER LOSS HIGH RELIABILITY, LOW POWER LOSS HIGH RELIABILITY, LOW POWER LOSS HIGH RELIABILITY, LOW POWER LOSS HIGH RELIABILITY, LOW POWER LOSS
外壳连接 ISOLATED ISOLATED ISOLATED ISOLATED ISOLATED ISOLATED ISOLATED ISOLATED ISOLATED ISOLATED
配置 SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE
二极管元件材料 SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON
二极管类型 RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE
JEDEC-95代码 DO-41 DO-41 DO-41 DO-41 DO-41 DO-41 DO-41 DO-41 DO-41 DO-41
JESD-30 代码 O-PALF-W2 O-PALF-W2 O-PALF-W2 O-PALF-W2 O-PALF-W2 O-PALF-W2 O-PALF-W2 O-PALF-W2 O-PALF-W2 O-PALF-W2
元件数量 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1
端子数量 2 2 2 2 2 2 2 2 2 2
最高工作温度 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C
最低工作温度 -65 °C -65 °C -65 °C -65 °C -65 °C -65 °C -65 °C -65 °C -65 °C -65 °C
最大输出电流 1 A 1 A 1 A 1 A 1 A 1 A 1 A 1 A 1 A 1 A
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 ROUND ROUND ROUND ROUND ROUND ROUND ROUND ROUND ROUND ROUND
封装形式 LONG FORM LONG FORM LONG FORM LONG FORM LONG FORM LONG FORM LONG FORM LONG FORM LONG FORM LONG FORM
最大重复峰值反向电压 100 V 50 V 50 V 100 V 200 V 200 V 400 V 400 V 600 V 600 V
最大反向恢复时间 0.2 µs 0.2 µs 0.2 µs 0.2 µs 0.2 µs 0.2 µs 0.2 µs 0.2 µs 0.2 µs 0.2 µs
表面贴装 NO NO NO NO NO NO NO NO NO NO
端子形式 WIRE WIRE WIRE WIRE WIRE WIRE WIRE WIRE WIRE WIRE
端子位置 AXIAL AXIAL AXIAL AXIAL AXIAL AXIAL AXIAL AXIAL AXIAL AXIAL
包装说明 O-PALF-W2 O-PALF-W2 O-PALF-W2 O-PALF-W2 - - O-PALF-W2 O-PALF-W2 O-PALF-W2 O-PALF-W2

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