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Datasheet> 器件分类 > 半导体> 分立半导体> TMV1412
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TMV1412

产品描述VHF BAND, 10 pF, 12 V, SILICON, HYPERABRUPT VARIABLE CAPACITANCE DIODE, TO-92
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小33KB，共1页
制造商Knox
官网地址http://www.knoxsemiconductor.com/
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TMV1412概述

VHF BAND, 10 pF, 12 V, SILICON, HYPERABRUPT VARIABLE CAPACITANCE DIODE, TO-92

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SILICON HIGH RATIO
PLASTIC THRU HOLE
VARACTORS
The TMV1400 Series of hyperabrupt varactors offer high capacitance ratios with linear tuning between 2 and 8 volts. The units are
available over a broad range of junction capacitances, satisfying a large number of broadband applications thru the VHF frequency
band.
TMV1401 - TMV1412
DIODE CAPACITANCE
(CT)
pF @ 1V•1 MHz
pF @ 2V•1
MHz
MIN
MAX
MIN
MAX
440
660
45
69
140
210
96
144
200
300
80
120
54
82
37
57
26
40
17
27
12
18
8
12
TUNING RATIO (TR)
C•1V / C•10V C•2V / C•10V
@ 1 MHz @ 1 MHz
MIN
MIN
14:1
10:1
10:1
10:1
10:1
10:1
10:1
10:1
10:1
9.5:1
8.5:1
7.5:1
QUALITY FACTOR
Q
@ 2V • 1 MHz
MIN
200
200
200
200
200
200
200
200
200
200
200
200
PART
NUMBER
TMV1401
TMV1402
TMV1403
TMV1404
TMV1405
TMV1406
TMV1407
TMV1408
TMV1409
TMV1410
TMV1411
TMV1412
Package Style
Device Dissipation (P
D
)
Juntion Temperature (Tj)
Reverse Breakdown Voltage (V
BR
)
Max Reverse Leakage Current (I
R
)
Operating Temperature (Topr)
Storage Temperature (Tstg)
Capacitance Tolerance @ -2Vdc (1401 @ -1Vdc)
TA = 25°C
10 µAdc
Vr = 10 Vdc
TO-92 (182-02)
280 mW
125°C
°
12 Vdc Min
0.1 µAdc
-55° to + 125°C
-55° to + 150°C
± 20%
TO-92 lead spacing between anode and cathode of .1” available. Bulk package only.
P.O. BOX 609
•
ROCKPORT, MAINE 04856
•
207-236-6076
•
FAX 207-236-9558

TMV1412相似产品对比

TMV1412 TMV1409 TMV1407 TMV1405 TMV1410 TMV1408 TMV1406 TMV1404 TMV1411
描述 VHF BAND, 10 pF, 12 V, SILICON, HYPERABRUPT VARIABLE CAPACITANCE DIODE, TO-92 VHF BAND, 33 pF, 12 V, SILICON, HYPERABRUPT VARIABLE CAPACITANCE DIODE, TO-92 VHF BAND, 68 pF, 12 V, SILICON, HYPERABRUPT VARIABLE CAPACITANCE DIODE, TO-92 VHF BAND, 250 pF, 12 V, SILICON, HYPERABRUPT VARIABLE CAPACITANCE DIODE, TO-92 VHF BAND, 22 pF, 12 V, SILICON, HYPERABRUPT VARIABLE CAPACITANCE DIODE, TO-92 VHF BAND, 47 pF, 12 V, SILICON, HYPERABRUPT VARIABLE CAPACITANCE DIODE, TO-92 VHF BAND, 100 pF, 12 V, SILICON, HYPERABRUPT VARIABLE CAPACITANCE DIODE, TO-92 VHF BAND, 120 pF, 12 V, SILICON, HYPERABRUPT VARIABLE CAPACITANCE DIODE, TO-92 VHF BAND, 15 pF, 12 V, SILICON, HYPERABRUPT VARIABLE CAPACITANCE DIODE, TO-92

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