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NAND512W3M3BZC5F

产品描述IC,MIXED MEMORY,FLASH+SDRAM,BGA,149PIN,PLASTIC
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文件大小200KB,共22页
制造商ST(意法半导体)
官网地址http://www.st.com/
标准
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NAND512W3M3BZC5F概述

IC,MIXED MEMORY,FLASH+SDRAM,BGA,149PIN,PLASTIC

NAND512W3M3BZC5F规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称ST(意法半导体)
Reach Compliance Codeunknown
JESD-30 代码R-PBGA-B149
内存集成电路类型MEMORY CIRCUIT
混合内存类型FLASH+SDRAM
端子数量149
最高工作温度85 °C
最低工作温度-30 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码FBGA
封装等效代码BGA149,12X16,32
封装形状RECTANGULAR
封装形式GRID ARRAY, FINE PITCH
电源3 V
认证状态Not Qualified
标称供电电压 (Vsup)3 V
表面贴装YES
温度等级OTHER
端子形式BALL
端子节距0.8 mm
端子位置BOTTOM
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