HCT SERIES, 8-BIT DRIVER, TRUE OUTPUT, PDIP20, PLASTIC, DIP-20
参数名称 | 属性值 |
是否无铅 | 含铅 |
是否Rohs认证 | 不符合 |
厂商名称 | ST(意法半导体) |
零件包装代码 | DIP |
包装说明 | DIP, DIP20,.3 |
针数 | 20 |
Reach Compliance Code | not_compliant |
系列 | HCT |
JESD-30 代码 | R-PDIP-T20 |
JESD-609代码 | e0 |
负载电容(CL) | 50 pF |
逻辑集成电路类型 | BUS DRIVER |
最大I(ol) | 0.006 A |
位数 | 8 |
功能数量 | 1 |
端口数量 | 2 |
端子数量 | 20 |
最高工作温度 | 85 °C |
最低工作温度 | -40 °C |
输出特性 | 3-STATE |
输出极性 | TRUE |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装代码 | DIP |
封装等效代码 | DIP20,.3 |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | IN-LINE |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED |
电源 | 5 V |
Prop。Delay @ Nom-Sup | 44 ns |
传播延迟(tpd) | 44 ns |
认证状态 | Not Qualified |
座面最大高度 | 3.93 mm |
最大供电电压 (Vsup) | 5.5 V |
最小供电电压 (Vsup) | 4.5 V |
标称供电电压 (Vsup) | 5 V |
表面贴装 | NO |
技术 | CMOS |
温度等级 | INDUSTRIAL |
端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式 | THROUGH-HOLE |
端子节距 | 2.54 mm |
端子位置 | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
宽度 | 7.62 mm |
M74HCT373B1N | M74HCT373C1 | M74HCT373F1 | M54HCT373F1 | |
---|---|---|---|---|
描述 | HCT SERIES, 8-BIT DRIVER, TRUE OUTPUT, PDIP20, PLASTIC, DIP-20 | HCT SERIES, 8-BIT DRIVER, TRUE OUTPUT, PQCC20, PLASTIC, CC-20 | HCT SERIES, 8-BIT DRIVER, TRUE OUTPUT, CDIP20, FRIT SEALED, CERAMIC, DIP-20 | HCT SERIES, 8-BIT DRIVER, TRUE OUTPUT, CDIP20, FRIT SEALED, CERAMIC, DIP-20 |
是否无铅 | 含铅 | 含铅 | 含铅 | 含铅 |
是否Rohs认证 | 不符合 | 不符合 | 不符合 | 不符合 |
零件包装代码 | DIP | QFN | DIP | DIP |
包装说明 | DIP, DIP20,.3 | QCCJ, LDCC20,.4SQ | DIP, DIP20,.3 | DIP, DIP20,.3 |
针数 | 20 | 20 | 20 | 20 |
Reach Compliance Code | not_compliant | not_compliant | not_compliant | not_compliant |
系列 | HCT | HCT | HCT | HCT |
JESD-30 代码 | R-PDIP-T20 | S-PQCC-J20 | R-GDIP-T20 | R-GDIP-T20 |
JESD-609代码 | e0 | e0 | e0 | e0 |
负载电容(CL) | 50 pF | 50 pF | 50 pF | 50 pF |
逻辑集成电路类型 | BUS DRIVER | BUS DRIVER | BUS DRIVER | BUS DRIVER |
最大I(ol) | 0.006 A | 0.006 A | 0.006 A | 0.006 A |
位数 | 8 | 8 | 8 | 8 |
功能数量 | 1 | 1 | 1 | 1 |
端口数量 | 2 | 2 | 2 | 2 |
端子数量 | 20 | 20 | 20 | 20 |
最高工作温度 | 85 °C | 85 °C | 85 °C | 125 °C |
最低工作温度 | -40 °C | -40 °C | -40 °C | -55 °C |
输出特性 | 3-STATE | 3-STATE | 3-STATE | 3-STATE |
输出极性 | TRUE | TRUE | TRUE | TRUE |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | CERAMIC, GLASS-SEALED | CERAMIC, GLASS-SEALED |
封装代码 | DIP | QCCJ | DIP | DIP |
封装等效代码 | DIP20,.3 | LDCC20,.4SQ | DIP20,.3 | DIP20,.3 |
封装形状 | RECTANGULAR | SQUARE | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
封装形式 | IN-LINE | CHIP CARRIER | IN-LINE | IN-LINE |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
电源 | 5 V | 5 V | 5 V | 5 V |
Prop。Delay @ Nom-Sup | 44 ns | 44 ns | 44 ns | 53 ns |
传播延迟(tpd) | 44 ns | 44 ns | 44 ns | 53 ns |
认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified |
座面最大高度 | 3.93 mm | 4.57 mm | 5 mm | 5 mm |
最大供电电压 (Vsup) | 5.5 V | 5.5 V | 5.5 V | 5.5 V |
最小供电电压 (Vsup) | 4.5 V | 4.5 V | 4.5 V | 4.5 V |
标称供电电压 (Vsup) | 5 V | 5 V | 5 V | 5 V |
表面贴装 | NO | YES | NO | NO |
技术 | CMOS | CMOS | CMOS | CMOS |
温度等级 | INDUSTRIAL | INDUSTRIAL | INDUSTRIAL | MILITARY |
端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式 | THROUGH-HOLE | J BEND | THROUGH-HOLE | THROUGH-HOLE |
端子节距 | 2.54 mm | 1.27 mm | 2.54 mm | 2.54 mm |
端子位置 | DUAL | QUAD | DUAL | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
宽度 | 7.62 mm | 8.9662 mm | 7.62 mm | 7.62 mm |
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