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2N6592

产品描述TRANSISTOR,BJT,NPN,200V V(BR)CEO,500MA I(C),TO-202AC
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小35KB,共1页
制造商National Semiconductor(TI )
官网地址http://www.ti.com
敬请期待 详细参数 选型对比

2N6592概述

TRANSISTOR,BJT,NPN,200V V(BR)CEO,500MA I(C),TO-202AC

2N6592规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
Reach Compliance Codecompli
最大集电极电流 (IC)0.5 A
配置Single
最小直流电流增益 (hFE)40
JESD-609代码e0
最高工作温度150 °C
极性/信道类型NPN
最大功率耗散 (Abs)2 W
表面贴装NO
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
标称过渡频率 (fT)70 MHz
Base Number Matches1

2N6592相似产品对比

2N6592 2N5148 2N2891 2N6593 2N5150
描述 TRANSISTOR,BJT,NPN,200V V(BR)CEO,500MA I(C),TO-202AC TRANSISTOR,BJT,NPN,80V V(BR)CEO,2A I(C),TO-39 TRANSISTOR NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-39, TO-39, 3 PIN, BIP General Purpose Small Signal TRANSISTOR,BJT,NPN,250V V(BR)CEO,500MA I(C),TO-202VAR TRANSISTOR,BJT,NPN,80V V(BR)CEO,2A I(C),TO-39
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合
Reach Compliance Code compli compli unknow compli compli
配置 Single Single SINGLE Single Single
最小直流电流增益 (hFE) 40 30 40 30 70
JESD-609代码 e0 e0 e0 e0 e0
最高工作温度 150 °C 175 °C 175 °C 150 °C 175 °C
极性/信道类型 NPN NPN NPN NPN NPN
最大功率耗散 (Abs) 2 W 1 W 0.8 W 2 W 1 W
表面贴装 NO NO NO NO NO
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
标称过渡频率 (fT) 70 MHz 50 MHz 30 MHz 70 MHz 60 MHz
最大集电极电流 (IC) 0.5 A 2 A - 0.5 A 2 A
Base Number Matches 1 1 1 1 -
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