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K7N163631B-QI25T

产品描述ZBT SRAM, 512KX36, 2.6ns, CMOS, PQFP100
产品类别存储    存储   
文件大小560KB,共25页
制造商SAMSUNG(三星)
官网地址http://www.samsung.com/Products/Semiconductor/
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K7N163631B-QI25T概述

ZBT SRAM, 512KX36, 2.6ns, CMOS, PQFP100

K7N163631B-QI25T规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
厂商名称SAMSUNG(三星)
包装说明QFP, QFP100,.63X.87
Reach Compliance Codeunknown
最长访问时间2.6 ns
最大时钟频率 (fCLK)250 MHz
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-PQFP-G100
内存密度18874368 bit
内存集成电路类型ZBT SRAM
内存宽度36
湿度敏感等级1
端子数量100
字数524288 words
字数代码512000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
组织512KX36
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码QFP
封装等效代码QFP100,.63X.87
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLATPACK
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)225
电源2.5,3.3 V
认证状态Not Qualified
最大待机电流0.13 A
最小待机电流3.14 V
最大压摆率0.36 mA
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子形式GULL WING
端子节距0.635 mm
端子位置QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED

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