Rectifier Diode,
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否Rohs认证 | 符合 |
| 厂商名称 | Rectron Semiconductor |
| Reach Compliance Code | compliant |
| 其他特性 | LOW LEAKAGE |
| 应用 | GENERAL PURPOSE |
| 外壳连接 | ISOLATED |
| 配置 | SINGLE |
| 二极管元件材料 | SILICON |
| 二极管类型 | RECTIFIER DIODE |
| 最大正向电压 (VF) | 1.1 V |
| JEDEC-95代码 | DO-201AD |
| JESD-30 代码 | O-PALF-W2 |
| JESD-609代码 | e3 |
| 最大非重复峰值正向电流 | 150 A |
| 元件数量 | 1 |
| 相数 | 1 |
| 端子数量 | 2 |
| 最高工作温度 | 175 °C |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 最大输出电流 | 3 A |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | ROUND |
| 封装形式 | LONG FORM |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED |
| 最大重复峰值反向电压 | 1400 V |
| 最大反向电流 | 10 µA |
| 反向测试电压 | 1400 V |
| 表面贴装 | NO |
| 端子面层 | Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier |
| 端子形式 | WIRE |
| 端子位置 | AXIAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
| 1N5414-T | 1N5413-B | 1N5413-F | 1N5413-T | 1N5414-B | 1N5414-F | 1N5415-B | 1N5415-F | 1N5415-T | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 描述 | Rectifier Diode, | Rectifier Diode, | Rectifier Diode, | Rectifier Diode, | Rectifier Diode, | Rectifier Diode, | Rectifier Diode, | Rectifier Diode, | Rectifier Diode, |
| 是否Rohs认证 | 符合 | 符合 | 符合 | 符合 | 符合 | 符合 | 符合 | 符合 | 符合 |
| 厂商名称 | Rectron Semiconductor | Rectron Semiconductor | Rectron Semiconductor | Rectron Semiconductor | Rectron Semiconductor | Rectron Semiconductor | Rectron Semiconductor | Rectron Semiconductor | Rectron Semiconductor |
| Reach Compliance Code | compliant | compliant | compliant | compliant | compliant | compliant | compliant | compliant | compliant |
| 其他特性 | LOW LEAKAGE | LOW LEAKAGE | LOW LEAKAGE | LOW LEAKAGE | LOW LEAKAGE CURRENT | LOW LEAKAGE | LOW LEAKAGE | LOW LEAKAGE CURRENT | LOW LEAKAGE |
| 应用 | GENERAL PURPOSE | GENERAL PURPOSE | GENERAL PURPOSE | GENERAL PURPOSE | GENERAL PURPOSE | GENERAL PURPOSE | GENERAL PURPOSE | GENERAL PURPOSE | GENERAL PURPOSE |
| 外壳连接 | ISOLATED | ISOLATED | ISOLATED | ISOLATED | ISOLATED | ISOLATED | ISOLATED | ISOLATED | ISOLATED |
| 配置 | SINGLE | SINGLE | SINGLE | SINGLE | SINGLE | SINGLE | SINGLE | SINGLE | SINGLE |
| 二极管元件材料 | SILICON | SILICON | SILICON | SILICON | SILICON | SILICON | SILICON | SILICON | SILICON |
| 二极管类型 | RECTIFIER DIODE | RECTIFIER DIODE | RECTIFIER DIODE | RECTIFIER DIODE | RECTIFIER DIODE | RECTIFIER DIODE | RECTIFIER DIODE | RECTIFIER DIODE | RECTIFIER DIODE |
| 最大正向电压 (VF) | 1.1 V | 1.1 V | 1.1 V | 1.1 V | 1.1 V | 1.1 V | 1.1 V | 1.1 V | 1.1 V |
| JEDEC-95代码 | DO-201AD | DO-201AD | DO-201AD | DO-201AD | DO-201AD | DO-201AD | DO-201AD | DO-201AD | DO-201AD |
| JESD-30 代码 | O-PALF-W2 | O-PALF-W2 | O-PALF-W2 | O-PALF-W2 | O-PALF-W2 | O-PALF-W2 | O-PALF-W2 | O-PALF-W2 | O-PALF-W2 |
| JESD-609代码 | e3 | e3 | e3 | e3 | e3 | e3 | e3 | e3 | e3 |
| 最大非重复峰值正向电流 | 150 A | 150 A | 150 A | 150 A | 150 A | 150 A | 150 A | 150 A | 150 A |
| 元件数量 | 1 | 1 | 1 | 1 | 1 | 1 | 1 | 1 | 1 |
| 相数 | 1 | 1 | 1 | 1 | 1 | 1 | 1 | 1 | 1 |
| 端子数量 | 2 | 2 | 2 | 2 | 2 | 2 | 2 | 2 | 2 |
| 最高工作温度 | 175 °C | 175 °C | 175 °C | 175 °C | 175 °C | 175 °C | 175 °C | 175 °C | 175 °C |
| 最低工作温度 | -55 °C | -55 °C | -55 °C | -55 °C | -55 °C | -55 °C | -55 °C | -55 °C | -55 °C |
| 最大输出电流 | 3 A | 3 A | 3 A | 3 A | 3 A | 3 A | 3 A | 3 A | 3 A |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | ROUND | ROUND | ROUND | ROUND | ROUND | ROUND | ROUND | ROUND | ROUND |
| 封装形式 | LONG FORM | LONG FORM | LONG FORM | LONG FORM | LONG FORM | LONG FORM | LONG FORM | LONG FORM | LONG FORM |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
| 最大重复峰值反向电压 | 1400 V | 1300 V | 1300 V | 1300 V | 1400 V | 1400 V | 1500 V | 1500 V | 1500 V |
| 最大反向电流 | 10 µA | 10 µA | 10 µA | 10 µA | 10 µA | 10 µA | 10 µA | 10 µA | 10 µA |
| 反向测试电压 | 1400 V | 1300 V | 1300 V | 1300 V | 1400 V | 1400 V | 1500 V | 1500 V | 1500 V |
| 表面贴装 | NO | NO | NO | NO | NO | NO | NO | NO | NO |
| 端子面层 | Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier | Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier | Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier | Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier | Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier | Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier | Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier | Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier | Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier |
| 端子形式 | WIRE | WIRE | WIRE | WIRE | WIRE | WIRE | WIRE | WIRE | WIRE |
| 端子位置 | AXIAL | AXIAL | AXIAL | AXIAL | AXIAL | AXIAL | AXIAL | AXIAL | AXIAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
电子工程世界版权所有
京B2-20211791
京ICP备10001474号-1
电信业务审批[2006]字第258号函
京公网安备 11010802033920号
Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved
电子工程世界
