电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索

GBP401G

产品描述VOLTAGE 50 ~ 1000 V, 4.0AMP Glass Passivated Bridge Rectifiers
文件大小360KB,共2页
制造商SECOS
官网地址http://www.secosgmbh.com/
下载文档 选型对比 全文预览

GBP401G概述

VOLTAGE 50 ~ 1000 V, 4.0AMP Glass Passivated Bridge Rectifiers

文档预览

下载PDF文档
GBP4005G~GBP410G
Elektronische Bauelemente
VOLTAGE 50 ~ 1000 V, 4.0AMP
Glass Passivated Bridge Rectifiers
RoHS Compliant Product
A suffix of “-C” specifies halogen & lead-free
GBP
FEATURES
Surge overload rating – 125 amperes peak
Ideal for printed circuit board
Plastic material has underwriters laboratory
flammability classification 94V-0
Mounting position: Any
H
A
B
C
G
KD
L
J
F
E
REF.
A
B
C
D
E
F
Millimeter
Min.
Max.
14.25
14.75
10.20
10.60
3.40
3.60
14.50
15.50
0.30
0.60
3.56
4.06
REF.
G
H
J
K
L
Millimeter
Min.
Max.
1.17
1.42
2.80 x 45°
0.70
0.86
2.30
2.70
0.70
1.10
MAXIMUM RATINGS
(T
A
=25° unless otherwise specified. Single phase, Hal f wave, 60Hz, resistive or inductive load. For capacitive load,
C
derate current by 20%)
PART NUMBERS
PARAMETER
SYMBOL
GBP
UNIT
GBP
GBP
GBP
GBP
GBP
GBP
4005G
Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage
Maximum RMS Bridge Input Voltage
Maximum DC Blocking Voltage
Maximum Average Forward Rectified
Current at T
A
=50°
1
C
Output
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
(AV)
I
FSM
V
F
I
R
It
C
J
R
θJC
2
401G
100
70
100
402G
200
140
200
404G
400
280
400
4.0
110
1.1
5
500
50
40
7.5
406G
600
420
600
408G
800
560
800
410G
1000
700
1000
V
V
V
A
A
V
µA
µA
A
2
S
pF
°
C/W
°
C
50
35
50
Peak Forward Surge Current, 8.3ms Single Half
Sine-Wave Superimposed on Rated Load
Maximum Forward Voltage Drop Per Bridge
Element at 4.0A Peak
Maximum Reverse Current at
Rated DC Blocking Voltage
I t Rating for Fusing (t<8.3ms)
Typical Junction Capacitance per Element
2
Typical Thermal Resistance
3
2
T
J
=25°
C
T
J
=100°
C
Operating & Storage Temperature Range
T
J
,T
STG
Note: 1. Mounting condition, 0.5” lead length maximum
2. Measured at 1.0 MHz and applied reverse voltage of 4.0V DC.
3. Unit mounted on 75mm x 75mm x 1.6mm copper plate heatsink.
-55~150, -55~150
24-Feb-2010 Rev. D
Page 1 of 2

GBP401G相似产品对比

GBP401G GBP4005G GBP402G GBP406G GBP408G GBP410G
描述 VOLTAGE 50 ~ 1000 V, 4.0AMP Glass Passivated Bridge Rectifiers VOLTAGE 50 ~ 1000 V, 4.0AMP Glass Passivated Bridge Rectifiers VOLTAGE 50 ~ 1000 V, 4.0AMP Glass Passivated Bridge Rectifiers VOLTAGE 50 ~ 1000 V, 4.0AMP Glass Passivated Bridge Rectifiers VOLTAGE 50 ~ 1000 V, 4.0AMP Glass Passivated Bridge Rectifiers VOLTAGE 50 ~ 1000 V, 4.0AMP Glass Passivated Bridge Rectifiers
华硕工程师谈主板供电电路设计 经典!!
华硕工程师谈主板供电电路设计 经典!!...
呱呱 单片机
keil
小弟近来使用keil编写51单片机的一个项目,刚刚接触keil,有些使用还不是很熟悉,今天就遇到了一个问题。 新建了一个工程:exam1,芯片选择89c51,在工程里面包含了STARTUP.A51文件;还有自己收 ......
malebanshee 嵌入式系统
NS 两款高性能转换器
美国国家半导体公司(NationalSemiconductor)宣布推出两款全新的高性能转换器,其特点是可以提升高电流系统的效率及延长其电池寿命。型号为LM2716的降压/升压转换器及型号为LM2717的降压/降压转 ......
fighting 模拟电子
Mbed程序结构的变化
今天还发现Mbed的程序结构也发生了变化,变得更加有条理和方便了,设置了不同的文件组,这样查找和修改都方便。 250631 以前的是这种形式: 250632 ...
dcexpert stm32/stm8
看完了第一集讲座,感觉好不错。。。
以前只知道MSP430是低功耗的产品,但是一直对430整个产品系统没有了解,也就用过5系列。听了丁工程师的讲解,发现430系列还有很多地方可以学习的。 今天准备把第二集听完:) ...
youki12345 微控制器 MCU
LPC4357的双核芯是怎么工作的?
最近看LPC4357,有些问题一直搞不懂 1、地址空间的冲突是怎样解决的 m4/m0核芯,使用手册上对存储区划分只有一个表和一些说明,没有对两个内核进行虚拟映射,这样的话存储器或者外设对于m ......
apleilx NXP MCU

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

 
机器人开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程 索引文件: 543  935  2887  1112  2106  5  21  11  43  59 

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2026 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved