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MCR68-6

产品描述SILICON CONTROLLED RECTIFIER,400V V(DRM),12A I(T),TO-220
产品类别模拟混合信号IC    触发装置   
文件大小231KB,共4页
制造商NXP(恩智浦)
官网地址https://www.nxp.com
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MCR68-6概述

SILICON CONTROLLED RECTIFIER,400V V(DRM),12A I(T),TO-220

MCR68-6规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称NXP(恩智浦)
包装说明FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Codeunknown
关态电压最小值的临界上升速率10 V/us
最大直流栅极触发电流30 mA
最大直流栅极触发电压1.5 V
最大维持电流50 mA
JESD-609代码e0
最大漏电流2 mA
通态非重复峰值电流100 A
最大通态电压2.2 V
最大通态电流12000 A
最高工作温度125 °C
最低工作温度-40 °C
断态重复峰值电压400 V
表面贴装NO
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
触发设备类型SCR

MCR68-6相似产品对比

MCR68-6 HCHP2208K2914DWPB MCR68-3
描述 SILICON CONTROLLED RECTIFIER,400V V(DRM),12A I(T),TO-220 Fixed Resistor, Metal Glaze/thick Film, 0.75W, 2910000ohm, 200V, 0.5% +/-Tol, 100ppm/Cel, Surface Mount, 2208, CHIP SILICON CONTROLLED RECTIFIER,100V V(DRM),12A I(T),TO-220
是否Rohs认证 不符合 符合 不符合
包装说明 FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 SMT, 2208 ,
Reach Compliance Code unknown unknown unknow
JESD-609代码 e0 e4 e0
最高工作温度 125 °C 155 °C 125 °C
最低工作温度 -40 °C -55 °C -40 °C
表面贴装 NO YES NO
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Gold (Au) - with Nickel (Ni) barrier Tin/Lead (Sn/Pb)
厂商名称 NXP(恩智浦) - NXP(恩智浦)
关态电压最小值的临界上升速率 10 V/us - 10 V/us
最大直流栅极触发电流 30 mA - 30 mA
最大直流栅极触发电压 1.5 V - 1.5 V
最大维持电流 50 mA - 50 mA
最大漏电流 2 mA - 2 mA
通态非重复峰值电流 100 A - 100 A
最大通态电压 2.2 V - 2.2 V
最大通态电流 12000 A - 12000 A
断态重复峰值电压 400 V - 100 V
触发设备类型 SCR - SCR

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