SILICON CONTROLLED RECTIFIER,400V V(DRM),12A I(T),TO-220
参数名称 | 属性值 |
是否Rohs认证 | 不符合 |
厂商名称 | NXP(恩智浦) |
包装说明 | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
Reach Compliance Code | unknown |
关态电压最小值的临界上升速率 | 10 V/us |
最大直流栅极触发电流 | 30 mA |
最大直流栅极触发电压 | 1.5 V |
最大维持电流 | 50 mA |
JESD-609代码 | e0 |
最大漏电流 | 2 mA |
通态非重复峰值电流 | 100 A |
最大通态电压 | 2.2 V |
最大通态电流 | 12000 A |
最高工作温度 | 125 °C |
最低工作温度 | -40 °C |
断态重复峰值电压 | 400 V |
表面贴装 | NO |
端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
触发设备类型 | SCR |
MCR68-6 | HCHP2208K2914DWPB | MCR68-3 | |
---|---|---|---|
描述 | SILICON CONTROLLED RECTIFIER,400V V(DRM),12A I(T),TO-220 | Fixed Resistor, Metal Glaze/thick Film, 0.75W, 2910000ohm, 200V, 0.5% +/-Tol, 100ppm/Cel, Surface Mount, 2208, CHIP | SILICON CONTROLLED RECTIFIER,100V V(DRM),12A I(T),TO-220 |
是否Rohs认证 | 不符合 | 符合 | 不符合 |
包装说明 | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | SMT, 2208 | , |
Reach Compliance Code | unknown | unknown | unknow |
JESD-609代码 | e0 | e4 | e0 |
最高工作温度 | 125 °C | 155 °C | 125 °C |
最低工作温度 | -40 °C | -55 °C | -40 °C |
表面贴装 | NO | YES | NO |
端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) | Gold (Au) - with Nickel (Ni) barrier | Tin/Lead (Sn/Pb) |
厂商名称 | NXP(恩智浦) | - | NXP(恩智浦) |
关态电压最小值的临界上升速率 | 10 V/us | - | 10 V/us |
最大直流栅极触发电流 | 30 mA | - | 30 mA |
最大直流栅极触发电压 | 1.5 V | - | 1.5 V |
最大维持电流 | 50 mA | - | 50 mA |
最大漏电流 | 2 mA | - | 2 mA |
通态非重复峰值电流 | 100 A | - | 100 A |
最大通态电压 | 2.2 V | - | 2.2 V |
最大通态电流 | 12000 A | - | 12000 A |
断态重复峰值电压 | 400 V | - | 100 V |
触发设备类型 | SCR | - | SCR |
电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved