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Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 晶体管> 2N6076APMLEADFREE
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2N6076APMLEADFREE

产品描述Small Signal Bipolar Transistor, 25V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92,
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小68KB，共1页
制造商Central Semiconductor
标准
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2N6076APMLEADFREE概述

Small Signal Bipolar Transistor, 25V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92,

2N6076APMLEADFREE规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
Reach Compliance Code_compli
其他特性LOW NOISE
集电极-发射极最大电压25 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)100
JEDEC-95代码TO-92
JESD-30 代码O-PBCY-T3
JESD-609代码e3
元件数量1
端子数量3
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状ROUND
封装形式CYLINDRICAL
峰值回流温度（摄氏度）260
极性/信道类型PNP
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子面层MATTE TIN (315)
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间10
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)200 MHz
Base Number Matches1

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