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JANKCA1N5311

产品描述Current Regulator Diode, 3.6mA I(S), 2.5V V(L), Silicon, HERMETIC SEALED, DIE-2
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小31KB,共2页
制造商Microsemi
官网地址https://www.microsemi.com
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JANKCA1N5311概述

Current Regulator Diode, 3.6mA I(S), 2.5V V(L), Silicon, HERMETIC SEALED, DIE-2

JANKCA1N5311规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
厂商名称Microsemi
零件包装代码DIE
包装说明HERMETIC SEALED, DIE-2
针数2
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
外壳连接CATHODE
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型CURRENT REGULATOR DIODE
最小动态阻抗265000 Ω
JESD-30 代码S-XXUC-N2
JESD-609代码e0
最大限制电压2.5 V
元件数量1
端子数量2
封装主体材料UNSPECIFIED
封装形状SQUARE
封装形式UNCASED CHIP
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
最大功率耗散0.6 W
认证状态Qualified
参考标准MIL-19500/463G
标称调节电流 (Ireg)3.6 mA
最大重复峰值反向电压100 V
表面贴装YES
技术FIELD EFFECT
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式NO LEAD
端子位置UNSPECIFIED
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED

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• 1N5283-1 THRU 1N5314-1 AVAILABLE IN
JAN, JANTX, JANTXV AND JANS
PER MIL-PRF-19500/463
• CURRENT REGULATOR DIODES
• HIGH SOURCE IMPEDANCE
• METALLURGICALLY BONDED
• DOUBLE PLUG CONSTRUCTION
1N5283 thru 1N5314
and
1N5283-1 thru 1N5314-1
MAXIMUM RATINGS
Operating Temperature: -65°C to +175°C
Storage Temperature: -65°C to +175°C
DC Power Dissipation: 500mW @ TL= +50°C, L = 3/8”
Power Derating: 4 mW / °C above +50°C
Peak Operating Voltage: 100 Volts
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
@ 25°C, unless otherwise speci½ed
TYPE
NUMBER
NOM
1N5283
1N5284
1N5285
1N5286
1N5287
1N5288
1N5289
1N5290
1N5291
1N5292
1N5293
1N5294
1N5295
1N5296
1N5297
1N5298
1N5299
1N5300
1N5301
1N5302
1N5303
1N5304
1N5305
1N5306
1N5307
1N5308
1N5309
1N5310
1N5311
1N5312
1N5313
1N5314
0.22
0.24
0.27
0.30
0.33
0.39
0.43
0.47
0.56
0.62
0.68
0.75
0.82
0.91
1.00
1.10
1.20
1.30
1.40
1.50
1.60
1.80
2.00
2.20
2.40
2.70
3.00
3.30
3.60
3.90
4.30
4.70
REGULATOR CURRENT
l p (mA) @ VS = 25V
MIN
0.198
0.216
0.243
0.270
0.297
0.351
0.387
0.423
0.504
0.558
0.612
0.675
0.738
0.819
0.900
0.990
1.08
1.17
1.26
1.35
1.44
1.62
1.80
1.98
2.16
2.43
2.70
2.97
3.24
3.51
3.87
4.23
MAX
0.242
0.264
0.297
0.330
0.363
0.429
0.473
0.517
0.616
0.682
0.748
0.825
0.902
1.001
1.100
1.210
1.32
1.43
1.54
1.65
1.76
1.98
2.20
2.42
2.64
2.97
3.30
3.63
3.96
4.29
4.73
5.17
MINIMUM
DYNAMIC
IMPEDANCE
@VS = 25V
ZS (M )
(Note 1)
25.0
19.0
14.0
9.0
6.6
4.10
3.30
2.70
1.90
1.55
1.35
1.15
1.00
0.880
0.800
0.700
0.640
0.580
0.540
0.510
0.475
0.420
0.395
0.370
0.345
0.320
0.300
0.280
0.265
0.255
0.245
0.235
MINIMUM
KNEE
IMPEDANCE
@VK = 6.0 V
ZK (M )
(Note 2)
2.75
2.35
1.95
1.60
1.35
1.00
0.870
0.750
0.560
0.470
0.400
0.335
0.290
0.240
0.205
0.180
0.155
0.135
0.115
0.105
0.092
0.074
0.061
0.052
0.044
0.035
0.029
0.024
0.020
0.017
0.014
0.012
MAXIMUM
LIMITING
VOLTAGE
@ lL = 0.8 lp (min)
VL (VOLTS)
1.00
1.00
1.00
1.00
1.00
1.05
1.05
1.05
1.10
1.13
1.15
1.20
1.25
1.29
1.35
1.40
1.45
1.50
1.55
1.60
1.65
1.75
1.85
1.95
2.00
2.15
2.25
2.35
2.50
2.60
2.75
2.90
FIGURE 1
DESIGN DATA
CASE:
Hermetically sealed glass
case. DO – 7 outline.
LEAD MATERIAL:
Copper clad steel.
LEAD FINISH:
Tin / Lead
THERMAL RESISTANCE: (R
OJEC):
250
°
C/W maximum at L = .375 inch
THERMAL IMPEDANCE: (Z
OJX): 25
°
C/W maximum
POLARITY:
Diode to be operated with
the banded (Cathode) end negative.
WEIGHT:
0.2 grams.
MOUNTING POSITION:
Any.
NOTE 1
NOTE 2
ZS is derived by superimposing A 90Hz RMS signal equal to 10% of VS on VS
ZK is derived by superimposing A 90Hz RMS signal equal to 10% of VK on VK
6 LAKE STREET, LAWRENCE, MASSACHUSETTS 01841
PHONE (978) 620-2600
FAX (978) 689-0803
WEBSITE: http://www.microsemi.com
59

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