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2N6650E3

产品描述Power Bipolar Transistor
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小363KB,共7页
制造商Microsemi
官网地址https://www.microsemi.com
标准  
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2N6650E3概述

Power Bipolar Transistor

2N6650E3规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
Objectid1347905300
包装说明TO-3, 2 PIN
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
其他特性HIGH RELIABILITY
外壳连接COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)10 A
集电极-发射极最大电压80 V
配置DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)100
JEDEC-95代码TO-204AA
JESD-30 代码O-MBFM-P2
JESD-609代码e3
元件数量1
端子数量2
封装主体材料METAL
封装形状ROUND
封装形式FLANGE MOUNT
极性/信道类型PNP
表面贴装NO
端子面层MATTE TIN
端子形式PIN/PEG
端子位置BOTTOM
晶体管元件材料SILICON

2N6650E3相似产品对比

2N6650E3 JANTX2N6650 2N6648E3
描述 Power Bipolar Transistor Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-3, Metal, 2 Pin, TO-3, 2 PIN Power Bipolar Transistor
是否无铅 不含铅 含铅 不含铅
是否Rohs认证 符合 不符合 符合
包装说明 TO-3, 2 PIN TO-3, 2 PIN TO-3, 2 PIN
Reach Compliance Code compliant unknown compliant
外壳连接 COLLECTOR COLLECTOR COLLECTOR
最大集电极电流 (IC) 10 A 10 A 10 A
集电极-发射极最大电压 80 V 80 V 40 V
配置 DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR SINGLE DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE) 100 100 100
JEDEC-95代码 TO-204AA TO-3 TO-204AA
JESD-30 代码 O-MBFM-P2 O-MBFM-P2 O-MBFM-P2
JESD-609代码 e3 e0 e3
元件数量 1 1 1
端子数量 2 2 2
封装主体材料 METAL METAL METAL
封装形状 ROUND ROUND ROUND
封装形式 FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT
极性/信道类型 PNP NPN PNP
表面贴装 NO NO NO
端子面层 MATTE TIN TIN LEAD Matte Tin (Sn)
端子形式 PIN/PEG PIN/PEG PIN/PEG
端子位置 BOTTOM BOTTOM BOTTOM
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON
Objectid 1347905300 1916729146 -
ECCN代码 EAR99 EAR99 -
其他特性 HIGH RELIABILITY - HIGH RELIABILITY

 
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