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1N1190E3

产品描述Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 35A, 600V V(RRM), Silicon, DO-203AB, DO-5, 1 PIN
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小477KB,共6页
制造商Microsemi
官网地址https://www.microsemi.com
标准
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1N1190E3概述

Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 35A, 600V V(RRM), Silicon, DO-203AB, DO-5, 1 PIN

1N1190E3规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称Microsemi
包装说明DO-5, 1 PIN
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
其他特性HIGH RELIABILITY
应用POWER
外壳连接CATHODE
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)1.4 V
JEDEC-95代码DO-203AB
JESD-30 代码O-MUPM-D1
最大非重复峰值正向电流500 A
元件数量1
相数1
端子数量1
最高工作温度175 °C
最低工作温度-65 °C
最大输出电流35 A
封装主体材料METAL
封装形状ROUND
封装形式POST/STUD MOUNT
最大重复峰值反向电压600 V
最大反向电流10 µA
表面贴装NO
端子形式SOLDER LUG
端子位置UPPER
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