Silicon Controlled Rectifier, 110A I(T)RMS, 300V V(DRM), 300V V(RRM), 1 Element, TO-209AC, TO-94, 3 PIN
参数名称 | 属性值 |
厂商名称 | Microsemi |
零件包装代码 | TO-94 |
包装说明 | POST/STUD MOUNT, O-MUPM-H3 |
针数 | 3 |
Reach Compliance Code | compliant |
ECCN代码 | EAR99 |
标称电路换相断开时间 | 100 µs |
配置 | SINGLE |
关态电压最小值的临界上升速率 | 200 V/us |
最大直流栅极触发电流 | 100 mA |
最大直流栅极触发电压 | 3 V |
最大维持电流 | 200 mA |
JEDEC-95代码 | TO-209AC |
JESD-30 代码 | O-MUPM-H3 |
JESD-609代码 | e0 |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 3 |
最高工作温度 | 125 °C |
最低工作温度 | -40 °C |
封装主体材料 | METAL |
封装形状 | ROUND |
封装形式 | POST/STUD MOUNT |
认证状态 | Not Qualified |
最大均方根通态电流 | 110 A |
重复峰值关态漏电流最大值 | 10000 µA |
断态重复峰值电压 | 300 V |
重复峰值反向电压 | 300 V |
表面贴装 | NO |
端子面层 | TIN LEAD |
端子形式 | HIGH CURRENT CABLE |
端子位置 | UPPER |
触发设备类型 | SCR |
07103GOA | 07102GOD | 07103GOD | 07102GOA | |
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描述 | Silicon Controlled Rectifier, 110A I(T)RMS, 300V V(DRM), 300V V(RRM), 1 Element, TO-209AC, TO-94, 3 PIN | Silicon Controlled Rectifier, 110A I(T)RMS, 200V V(DRM), 200V V(RRM), 1 Element, TO-208AD, TO-83, 2 PIN | Silicon Controlled Rectifier, 110A I(T)RMS, 300V V(DRM), 300V V(RRM), 1 Element, TO-208AD, TO-83, 2 PIN | Silicon Controlled Rectifier, 110A I(T)RMS, 200V V(DRM), 200V V(RRM), 1 Element, TO-209AC, TO-94, 3 PIN |
零件包装代码 | TO-94 | TO-83 | TO-83 | TO-94 |
包装说明 | POST/STUD MOUNT, O-MUPM-H3 | POST/STUD MOUNT, O-MUPM-D2 | POST/STUD MOUNT, O-MUPM-D2 | POST/STUD MOUNT, O-MUPM-H3 |
针数 | 3 | 2 | 2 | 3 |
Reach Compliance Code | compliant | compli | compliant | compliant |
ECCN代码 | EAR99 | EAR99 | EAR99 | EAR99 |
标称电路换相断开时间 | 100 µs | 100 µs | 100 µs | 100 µs |
配置 | SINGLE | SINGLE | SINGLE | SINGLE |
关态电压最小值的临界上升速率 | 200 V/us | 200 V/us | 200 V/us | 200 V/us |
最大直流栅极触发电流 | 100 mA | 100 mA | 100 mA | 100 mA |
最大直流栅极触发电压 | 3 V | 3 V | 3 V | 3 V |
最大维持电流 | 200 mA | 200 mA | 200 mA | 200 mA |
JEDEC-95代码 | TO-209AC | TO-208AD | TO-208AD | TO-209AC |
JESD-30 代码 | O-MUPM-H3 | O-MUPM-D2 | O-MUPM-D2 | O-MUPM-H3 |
JESD-609代码 | e0 | e0 | e0 | e0 |
元件数量 | 1 | 1 | 1 | 1 |
端子数量 | 3 | 2 | 2 | 3 |
最高工作温度 | 125 °C | 125 °C | 125 °C | 125 °C |
最低工作温度 | -40 °C | -40 °C | -40 °C | -40 °C |
封装主体材料 | METAL | METAL | METAL | METAL |
封装形状 | ROUND | ROUND | ROUND | ROUND |
封装形式 | POST/STUD MOUNT | POST/STUD MOUNT | POST/STUD MOUNT | POST/STUD MOUNT |
认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified |
最大均方根通态电流 | 110 A | 110 A | 110 A | 110 A |
重复峰值关态漏电流最大值 | 10000 µA | 10000 µA | 10000 µA | 10000 µA |
断态重复峰值电压 | 300 V | 200 V | 300 V | 200 V |
重复峰值反向电压 | 300 V | 200 V | 300 V | 200 V |
表面贴装 | NO | NO | NO | NO |
端子面层 | TIN LEAD | TIN LEAD | TIN LEAD | TIN LEAD |
端子形式 | HIGH CURRENT CABLE | SOLDER LUG | SOLDER LUG | HIGH CURRENT CABLE |
端子位置 | UPPER | UPPER | UPPER | UPPER |
触发设备类型 | SCR | SCR | SCR | SCR |
厂商名称 | Microsemi | - | Microsemi | Microsemi |
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