TRANSISTOR 200 mA, 25 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92, BIP General Purpose Small Signal
| 参数名称 | 属性值 |
| 包装说明 | CYLINDRICAL, O-PBCY-T3 |
| Reach Compliance Code | unknow |
| ECCN代码 | EAR99 |
| 最大集电极电流 (IC) | 0.2 A |
| 基于收集器的最大容量 | 4.5 pF |
| 集电极-发射极最大电压 | 25 V |
| 配置 | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE) | 60 |
| JEDEC-95代码 | TO-92 |
| JESD-30 代码 | O-PBCY-T3 |
| 元件数量 | 1 |
| 端子数量 | 3 |
| 最高工作温度 | 150 °C |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | ROUND |
| 封装形式 | CYLINDRICAL |
| 极性/信道类型 | PNP |
| 功耗环境最大值 | 1.5 W |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 表面贴装 | NO |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE |
| 端子位置 | BOTTOM |
| 晶体管应用 | SWITCHING |
| 晶体管元件材料 | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT) | 250 MHz |
| VCEsat-Max | 0.4 V |
| Base Number Matches | 1 |
| 2N4126TPE1 | 2N4126TPE2 | 2N4126TPER1 | |
|---|---|---|---|
| 描述 | TRANSISTOR 200 mA, 25 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92, BIP General Purpose Small Signal | TRANSISTOR 200 mA, 25 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92, BIP General Purpose Small Signal | TRANSISTOR 200 mA, 25 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92, BIP General Purpose Small Signal |
| 包装说明 | CYLINDRICAL, O-PBCY-T3 | CYLINDRICAL, O-PBCY-T3 | CYLINDRICAL, O-PBCY-T3 |
| Reach Compliance Code | unknow | unknow | unknow |
| ECCN代码 | EAR99 | EAR99 | EAR99 |
| 最大集电极电流 (IC) | 0.2 A | 0.2 A | 0.2 A |
| 基于收集器的最大容量 | 4.5 pF | 4.5 pF | 4.5 pF |
| 集电极-发射极最大电压 | 25 V | 25 V | 25 V |
| 配置 | SINGLE | SINGLE | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE) | 60 | 60 | 60 |
| JEDEC-95代码 | TO-92 | TO-92 | TO-92 |
| JESD-30 代码 | O-PBCY-T3 | O-PBCY-T3 | O-PBCY-T3 |
| 元件数量 | 1 | 1 | 1 |
| 端子数量 | 3 | 3 | 3 |
| 最高工作温度 | 150 °C | 150 °C | 150 °C |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | ROUND | ROUND | ROUND |
| 封装形式 | CYLINDRICAL | CYLINDRICAL | CYLINDRICAL |
| 极性/信道类型 | PNP | PNP | PNP |
| 功耗环境最大值 | 1.5 W | 1.5 W | 1.5 W |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified |
| 表面贴装 | NO | NO | NO |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE | THROUGH-HOLE | THROUGH-HOLE |
| 端子位置 | BOTTOM | BOTTOM | BOTTOM |
| 晶体管应用 | SWITCHING | SWITCHING | SWITCHING |
| 晶体管元件材料 | SILICON | SILICON | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT) | 250 MHz | 250 MHz | 250 MHz |
| VCEsat-Max | 0.4 V | 0.4 V | 0.4 V |
| Base Number Matches | 1 | 1 | - |
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