1 A, SILICON, SIGNAL DIODE
1 A, 硅, 信号二极管
参数名称 | 属性值 |
Source Url Status Check Date | 2013-06-14 00:00:00 |
是否无铅 | 不含铅 |
是否Rohs认证 | 符合 |
厂商名称 | NXP(恩智浦) |
零件包装代码 | SOT-23 |
包装说明 | PLASTIC, SMD, 3 PIN |
针数 | 3 |
Reach Compliance Code | compliant |
ECCN代码 | EAR99 |
配置 | SINGLE |
二极管元件材料 | SILICON |
二极管类型 | RECTIFIER DIODE |
最大正向电压 (VF) | 0.13 V |
JEDEC-95代码 | TO-236AB |
JESD-30 代码 | R-PDSO-G3 |
JESD-609代码 | e3 |
湿度敏感等级 | 1 |
最大非重复峰值正向电流 | 9 A |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 3 |
最高工作温度 | 150 °C |
最大输出电流 | 1 A |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度) | 260 |
最大功率耗散 | 0.42 W |
认证状态 | Not Qualified |
最大重复峰值反向电压 | 30 V |
表面贴装 | YES |
技术 | SCHOTTKY |
端子面层 | Tin (Sn) |
端子形式 | GULL WING |
端子位置 | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间 | 30 |
PMEG3010ET | PMEG3010EH_07 | PMEG3010EJ | |
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描述 | 1 A, SILICON, SIGNAL DIODE | 1 A, SILICON, SIGNAL DIODE | 1 A, SILICON, SIGNAL DIODE |
二极管元件材料 | SILICON | SILICON | SILICON |
二极管类型 | RECTIFIER DIODE | RECTIFIER DIODE | RECTIFIER DIODE |
元件数量 | 1 | 1 | 1 |
端子数量 | 3 | 2 | 2 |
最大输出电流 | 1 A | 1 A | 1 A |
最大重复峰值反向电压 | 30 V | 30 V | 30 V |
表面贴装 | YES | YES | YES |
端子形式 | GULL WING | FLAT | FLAT |
端子位置 | DUAL | DUAL | DUAL |
是否无铅 | 不含铅 | - | 不含铅 |
是否Rohs认证 | 符合 | - | 符合 |
厂商名称 | NXP(恩智浦) | - | NXP(恩智浦) |
零件包装代码 | SOT-23 | - | SC-90 |
包装说明 | PLASTIC, SMD, 3 PIN | - | R-PDSO-F2 |
针数 | 3 | - | 2 |
Reach Compliance Code | compliant | - | compli |
ECCN代码 | EAR99 | - | EAR99 |
配置 | SINGLE | - | SINGLE |
最大正向电压 (VF) | 0.13 V | - | 0.13 V |
JESD-30 代码 | R-PDSO-G3 | - | R-PDSO-F2 |
JESD-609代码 | e3 | - | e3 |
湿度敏感等级 | 1 | - | 1 |
最高工作温度 | 150 °C | - | 150 °C |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | - | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR | - | RECTANGULAR |
封装形式 | SMALL OUTLINE | - | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度) | 260 | - | 260 |
最大功率耗散 | 0.42 W | - | 0.83 W |
认证状态 | Not Qualified | - | Not Qualified |
技术 | SCHOTTKY | - | SCHOTTKY |
端子面层 | Tin (Sn) | - | Tin (Sn) |
处于峰值回流温度下的最长时间 | 30 | - | 30 |
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