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2MBI150NB-060

产品描述Insulated Gate Bipolar Transistor, 150A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel,
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小423KB,共4页
制造商Fuji Electric Co Ltd
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2MBI150NB-060概述

Insulated Gate Bipolar Transistor, 150A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel,

2MBI150NB-060规格参数

参数名称属性值
包装说明FLANGE MOUNT, R-XUFM-X7
Reach Compliance Codeunknow
最大集电极电流 (IC)150 A
集电极-发射极最大电压600 V
配置SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE AND CUR LIMITING CIRCUIT
JESD-30 代码R-XUFM-X7
元件数量2
端子数量7
封装主体材料UNSPECIFIED
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
极性/信道类型N-CHANNEL
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子形式UNSPECIFIED
端子位置UPPER
晶体管元件材料SILICON
标称断开时间 (toff)800 ns
标称接通时间 (ton)800 ns
Base Number Matches1
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