Trans Voltage Suppressor Diode, 15000W, 30V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否Rohs认证 | 符合 |
| 厂商名称 | Microchip(微芯科技) |
| 包装说明 | R-PSSO-G1 |
| Reach Compliance Code | compliant |
| 其他特性 | HIGH RELIABILITY |
| 最大击穿电压 | 36.8 V |
| 最小击穿电压 | 33.3 V |
| 击穿电压标称值 | 35.05 V |
| 外壳连接 | CATHODE |
| 最大钳位电压 | 48.4 V |
| 配置 | SINGLE |
| 二极管元件材料 | SILICON |
| 二极管类型 | TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE |
| JESD-30 代码 | R-PSSO-G1 |
| JESD-609代码 | e3 |
| 湿度敏感等级 | 1 |
| 最大非重复峰值反向功率耗散 | 15000 W |
| 元件数量 | 1 |
| 端子数量 | 1 |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED |
| 极性 | BIDIRECTIONAL |
| 最大功率耗散 | 2.5 W |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 参考标准 | MIL-19500 |
| 最大重复峰值反向电压 | 30 V |
| 表面贴装 | YES |
| 技术 | AVALANCHE |
| 端子面层 | Matte Tin (Sn) |
| 端子形式 | GULL WING |
| 端子位置 | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
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