Flash, 4MX16, 120ns, PDSO48,
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 |
| 厂商名称 | AMD(超微) |
| 包装说明 | TSSOP, TSSOP48,.8,20 |
| Reach Compliance Code | unknown |
| 最长访问时间 | 120 ns |
| 备用内存宽度 | 8 |
| 启动块 | BOTTOM/TOP |
| 命令用户界面 | YES |
| 通用闪存接口 | YES |
| 数据轮询 | YES |
| JESD-30 代码 | R-PDSO-G48 |
| JESD-609代码 | e0 |
| 内存密度 | 67108864 bit |
| 内存集成电路类型 | FLASH |
| 内存宽度 | 16 |
| 部门数/规模 | 16,126 |
| 端子数量 | 48 |
| 字数 | 4194304 words |
| 字数代码 | 4000000 |
| 最高工作温度 | 85 °C |
| 最低工作温度 | -40 °C |
| 组织 | 4MX16 |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | TSSOP |
| 封装等效代码 | TSSOP48,.8,20 |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH |
| 并行/串行 | PARALLEL |
| 电源 | 3/3.3 V |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 就绪/忙碌 | YES |
| 部门规模 | 8K,64K |
| 最大待机电流 | 0.000005 A |
| 最大压摆率 | 0.045 mA |
| 表面贴装 | YES |
| 技术 | CMOS |
| 温度等级 | INDUSTRIAL |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式 | GULL WING |
| 端子节距 | 0.5 mm |
| 端子位置 | DUAL |
| 切换位 | YES |
| 类型 | NOR TYPE |
| AM29DL640G120EIN | AM29DL640G120PCIN | AM29DL640G120WHIN | |
|---|---|---|---|
| 描述 | Flash, 4MX16, 120ns, PDSO48, | Flash, 4MX16, 120ns, PBGA64, | Flash, 4MX16, 120ns, PBGA63, |
| 是否Rohs认证 | 不符合 | 不符合 | 不符合 |
| 包装说明 | TSSOP, TSSOP48,.8,20 | BGA, BGA64,8X8,40 | FBGA, BGA63,8X12,32 |
| Reach Compliance Code | unknown | unknown | unknown |
| 最长访问时间 | 120 ns | 120 ns | 120 ns |
| 备用内存宽度 | 8 | 8 | 8 |
| 启动块 | BOTTOM/TOP | BOTTOM/TOP | BOTTOM/TOP |
| 命令用户界面 | YES | YES | YES |
| 通用闪存接口 | YES | YES | YES |
| 数据轮询 | YES | YES | YES |
| JESD-30 代码 | R-PDSO-G48 | S-PBGA-B64 | R-PBGA-B63 |
| JESD-609代码 | e0 | e0 | e0 |
| 内存密度 | 67108864 bit | 67108864 bit | 67108864 bit |
| 内存集成电路类型 | FLASH | FLASH | FLASH |
| 内存宽度 | 16 | 16 | 16 |
| 部门数/规模 | 16,126 | 16,126 | 16,126 |
| 端子数量 | 48 | 64 | 63 |
| 字数 | 4194304 words | 4194304 words | 4194304 words |
| 字数代码 | 4000000 | 4000000 | 4000000 |
| 最高工作温度 | 85 °C | 85 °C | 85 °C |
| 最低工作温度 | -40 °C | -40 °C | -40 °C |
| 组织 | 4MX16 | 4MX16 | 4MX16 |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | TSSOP | BGA | FBGA |
| 封装等效代码 | TSSOP48,.8,20 | BGA64,8X8,40 | BGA63,8X12,32 |
| 封装形状 | RECTANGULAR | SQUARE | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH | GRID ARRAY | GRID ARRAY, FINE PITCH |
| 并行/串行 | PARALLEL | PARALLEL | PARALLEL |
| 电源 | 3/3.3 V | 3/3.3 V | 3/3.3 V |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified |
| 就绪/忙碌 | YES | YES | YES |
| 部门规模 | 8K,64K | 8K,64K | 8K,64K |
| 最大待机电流 | 0.000005 A | 0.000005 A | 0.000005 A |
| 最大压摆率 | 0.045 mA | 0.045 mA | 0.045 mA |
| 表面贴装 | YES | YES | YES |
| 技术 | CMOS | CMOS | CMOS |
| 温度等级 | INDUSTRIAL | INDUSTRIAL | INDUSTRIAL |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式 | GULL WING | BALL | BALL |
| 端子节距 | 0.5 mm | 1 mm | 0.8 mm |
| 端子位置 | DUAL | BOTTOM | BOTTOM |
| 切换位 | YES | YES | YES |
| 类型 | NOR TYPE | NOR TYPE | NOR TYPE |
| 厂商名称 | AMD(超微) | - | AMD(超微) |
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