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2SB1143

产品描述TRANSISTOR,BJT,PNP,50V V(BR)CEO,4A I(C),TO-126
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小320KB,共7页
制造商ON Semiconductor(安森美)
官网地址http://www.onsemi.cn
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2SB1143概述

TRANSISTOR,BJT,PNP,50V V(BR)CEO,4A I(C),TO-126

2SB1143规格参数

参数名称属性值
Objectid113296801
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
YTEOL0
最大集电极电流 (IC)4 A
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)100
元件数量1
最高工作温度140 °C
极性/信道类型PNP
最大功率耗散 (Abs)10 W
表面贴装NO
标称过渡频率 (fT)150 MHz

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Ordering number : EN2063C
2SB1143/2SD1683
Bipolar Transistor
(–)50V, (–)4A, Low VCE(sat), (PNP)NPN Single TO-126ML
Applications
http://onsemi.com
Voltage regulators, relay drivers, lamp drivers, electrical equipment
Features
Adoption of FBET, MBIT processes
Large current capacity and wide ASO
Low saturation voltage
Specifications
( ): 2SB1143
Absolute Maximum Ratings
at Ta=25°C
Parameter
Collector-to-Base Voltage
Collector-to-Emitter Voltage
Emitter-to-Base Voltage
Collector Current
Collector Current (Pulse)
Collector Dissipation
Junction Temperature
Storage Temperature
Symbol
VCBO
VCEO
VEBO
IC
ICP
PC
Tj
Tstg
Tc=25°C
Conditions
Ratings
(--)60
(-
-)50
(--)6
(--)4
(--)6
1.5
10
150
--55 to +150
Unit
V
V
V
A
A
W
W
°C
°C
Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum Ratings are stress ratings only. Functional operation above the Recommended Operating
Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the Recommended Operating Conditions may affect device reliability.
Package Dimensions
unit : mm (typ)
7516A-002
8.0
4.0
1.0
3.6
1.0
1.4
3.3
3.0
Product & Package Information
• Package
: TO-126ML
• JEITA, JEDEC
: TO-126
• Minimum Packing Quantity : 200 pcs./bag
2SB1143S
2SB1143T
2SD1683S
2SD1683T
Marking
11.0
B1143
RANK LOT No.
D1683
RANK LOT No.
15.5
1.6
0.8
0.8
0.75
1.5
3.0
7.5
0.7
Electrical Connection
1
2
3
1 : Emitter
2 : Collector
3 : Base
TO-126ML
2
2
1.7
2.4
4.8
3
3
2SB1143
1
2SD1683
1
Semiconductor Components Industries, LLC, 2013
September, 2013
90512 TKIM/O2003TN (KOTO)/92098HA (KT)/4137KI/D176TA, TS No.2063-1/7

 
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