48 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT, TO-263AB
48 A, 1200 V, N沟道 IGBT, TO-263AB
参数名称 | 属性值 |
端子数量 | 2 |
额定关断时间 | 430 ns |
最大集电极电流 | 48 A |
最大集电极发射极电压 | 1200 V |
加工封装描述 | TO-263, 3 PIN |
无铅 | Yes |
欧盟RoHS规范 | Yes |
状态 | ACTIVE |
包装形状 | RECTANGULAR |
包装尺寸 | SMALL OUTLINE |
表面贴装 | Yes |
端子形式 | GULL WING |
端子涂层 | PURE TIN |
端子位置 | SINGLE |
包装材料 | PLASTIC/EPOXY |
结构 | SINGLE |
壳体连接 | COLLECTOR |
元件数量 | 1 |
晶体管应用 | POWER CONTROL |
晶体管元件材料 | SILICON |
通道类型 | N-CHANNEL |
晶体管类型 | INSULATED GATE BIPOLAR |
额定导通时间 | 41 ns |
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