N
Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor
Datenblatt / Data sheet
T 1971N
Elektrische Eigenschaften
T
C
= 85 °C
T
C
= 60 °C
T
vj
= 25 °C, t
P
= 10 ms
T
vj
= T
vj max
, t
P
= 10 ms
T
vj
= 25 °C, t
P
= 10 ms
T
vj
= T
vj max
, t
P
= 10 ms
DIN IEC 60747-6
f = 50 Hz, i
GM
= 3 A, di
G
/dt = 6 A/µs
T
vj
= T
vj max
, v
D
= 0,67 V
DRM
th
5.Kennbuchstabe / 5 letter H
V
DRM
,V
RRM
3800
4200
I
TRMSM
I
TAVM
I
TSM
I²t
(di
T
/dt)
cr
(dv
D
/dt)
cr
4000 V
4400 V
3700 A
1730 A
2360 A
40000 A
36000 A
8000 10³ A²s
6480 10³ A²s
300 A/µs
2000 V/µs
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Höchstzulässige Werte / Maximum rated values
Periodische Vorwärts- und Rückwärts-Spitzensperrspannung T
vj
= -40°C... T
vj max
Kenndaten
repetitive peak forward off-state and reverse voltage
Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert
maximum RMS on-state current
Dauergrenzstrom
average on-state current
Stoßstrom-Grenzwert
surge current
Grenzlastintegral
I²t-value
Kritische Stromsteilheit
critical rate of rise of on-state current
Kritische Spannungssteilheit
critical rate of rise of off-state voltage
Charakteristische Werte / Characteristic values
Durchlaßspannung
on-state voltage
Schleusenspannung
threshold voltage
Ersatzwiderstand
slope resistance
Durchlaßkennlinie
on-state characteristic
200A
≤
i
F
≤
2500A
T
vj
= T
vj max
, i
T
= 2000A
T
vj
= T
vj max
T
vj
= T
vj max
T
vj
= T
vj max
v
T
V
(TO)
r
T
typ.
A
B
C
D
A
B
C
D
typ.
max.
typ.
max.
typ.
max.
1,7 V
1,95 V
1,1 V
1,29 V
0,3 mΩ
0,33 mΩ
v
T
=
A
+
B
⋅
i
T
+
C
⋅
Ln ( i
T
+
1)
+
D
⋅
i
T
max.
Zündstrom
gate trigger current
Zündspannung
gate trigger voltage
Nicht zündender Steuerstrom
gate non-trigger current
Nicht zündende Steuerspannung
gate non-trigger voltage
Haltestrom
holding current
Einraststrom
latching current
Vorwärts- und Rückwärts-Sperrstrom
forward off-state and reverse current
Zündverzug
gate controlled delay time
prepared by: C. Schneider
approved by: J. Przybilla
T
vj
= 25°C, v
D
= 12 V
T
vj
= 25°C, v
D
= 12 V
T
vj
= T
vj max
, v
D
= 12 V
T
vj
= T
vj max
, v
D
= 0,5 V
DRM
T
vj
= T
vj max
, v
D
= 0,5 V
DRM
T
vj
= 25°C, v
D
= 12 V
I
GT
V
GT
I
GD
V
GD
I
H
-0,0105
0,000182
0,13062
0,008028
-0,0266
0,00025
0,1662
0,005006
350 mA
max.
max.
max.
max.
max.
max.
max.
max.
max.
2,5 V
20 mA
10 mA
0,4 V
350 mA
3 A
400 mA
2 µs
T
vj
= 25°C, v
D
= 12 V, R
GK
≥
10
Ω
I
L
i
GM
= 3 A, di
G
/dt = 6 A/µs, t
g
= 20 µs
T
vj
= T
vj max
v
D
= V
DRM
, v
R
= V
RRM
DIN IEC 60747-6
T
vj
= 25 °C,i
GM
= 3 A, di
G
/dt = 6 A/µs
date of publication:
revision:
i
D
, i
R
t
gd
2006-05-05
5
BIP AM / SM PB, 2001-04-06, Przybilla J. /
Keller
Seite/page
1/9
N
Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor
Datenblatt / Data sheet
T 1971N
Thermische Eigenschaften
Mechanische Eigenschaften
T
vj
= T
vj max
, i
TM
= I
TAVM
v
RM
= 100 V, v
DM
= 0,67 V
DRM
dv
D
/dt = 20 V/µs, -di
T
/dt = 10 A/µs
th
4.Kennbuchstabe / 4 letter O
T
vj
= T
vj max
i
TM
= I
TAVM
, -di
T
/dt = 10 A/µs
V
R
= 0,5V
RRM
, V
RM
= 0,8V
RRM
T
vj
= T
vj max
i
TM
= I
TAVM
, -di
T
/dt = 10 A/µs
V
R
= 0,5V
RRM
, V
RM
= 0,8V
RRM
t
q
typ.
350
µs
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Charakteristische Werte / Characteristic values
Freiwerdezeit
circuit commutated turn-off time
Sperrverzögerungsladung
recovered charge
Rückstromspitze
peak reverse recovery current
Q
r
max.
7
mAs
I
RM
max.
220
A
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
Innerer Wärmewiderstand
thermal resistance, junction to case
Kühlfläche / cooling surface
beidseitig / two-sided,
θ
= 180°sin
beidseitig / two-sided, DC
Anode / anode, DC
Kathode / cathode, DC
Kühlfläche / cooling surface
beidseitig / two-sided
einseitig / single-sided
R
thJC
max.
max.
max.
max.
0,0087
0,008
0,015
0,017
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
Übergangs-Wärmewiderstand
thermal resistance, case to heatsink
Höchstzulässige Sperrschichttemperatur
maximum junction temperature
Betriebstemperatur
operating temperature
Lagertemperatur
storage temperature
R
thCH
T
vj max
T
c op
T
stg
max. 0,0025 °C/W
max. 0,005
°C/W
125 °C
-40...+125 °C
-40...+150 °C
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
Gehäuse, siehe Anlage
case, see annex
Si-Element mit Druckkontakt
Si-pellet with pressure contact
Anpresskraft
clamping force
Steueranschlüsse
control terminals
Gewicht
weight
Kriechstrecke
creepage distance
Schwingfestigkeit
vibration resistance
f = 50 Hz
DIN 46244
Gate
Kathode /Cathode
G
F
Seite 3
page 3
36...52
A 4,8x0,8
A 6,3x0,8
typ.
kN
1500 g
33 mm
50 m/s²
BIP AM / SM PB, 2001-04-06, Przybilla J. /
Keller
Seite/page
2/9
N
Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor
Datenblatt / Data sheet
T 1971N
Maßbild
4 5
1
2
1:
Anode/Anode
2:
Kathode/Cathode
4:
Gate
5:
Hilfskathode/
Cathode
(control terminal)
BIP AM / SM PB, 2001-04-06, Przybilla J. /
Keller
Seite/page
3/9
N
Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor
Datenblatt / Data sheet
T 1971N
R,t – Werte
R
R,T-Werte
beidseitig
two-sided
Analytische Elemente des transienten Wärmewiderstandes Z
thJC
Analytical elements of transient thermal impedance Z
thJC
Pos. n
R
thn
[°C/W]
1
0,0016
1,72
0,008
8,5
0,01000
10
2
0,0022
0,39
0,0028
0,5
0,0028
0,5
3
0,0028
0,12
0,0028
0,12
0,0028
0,12
4
0,0008
0,16
0,0008
0,16
0,0008
0,16
5
0,0006
0,005
0,0006
0,005
0,0006
0,005
6
7
τ
n
[s]
R
thn
[°C/W]
anodenseitig
anode-sided
τ
n
[s]
R
thn
[°C/W]
kathodenseitig
cathode-sided
τ
n
[s]
Analytische Funktion / Analytical function:
Z
thJC
=
n
max
n=1
Σ
R
thn
1
−
e
τ
n
-t
0,02
ci
ai
0,016
bi
0,008
0,004
0,001
0,01
0,1
t [s]
1
10
0
100
Transienter innerer Wärmewiderstand für DC/ Transient thermal impedance Z
thJC
= f(t) for DC
a
: Anodenseitige Kühlung / Anode-sided cooling
b
: Beidseitige Kühlung / Two-sided cooling
c
: Kathodenseitige Kühlung / Cathode-sided cooling
BIP AM / SM PB, 2001-04-06, Przybilla J. /
Keller
Seite/page
Z
th JC
[K/W]
0,012
4/9
N
Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor
3000
Datenblatt / Data sheet
T 1971N
Diagramme
Diagramme
Durchlasskennlinie
2500
2000
typ.
max.
i
T
[A]
1500
1000
500
0
0
0,5
1
v
T
[V]
1,5
2
2,5
Grenzdurchlaßkennlinie / Limiting on-state characteristic i
T
= f(v
T
)
T
vj
= T
vj max
BIP AM / SM PB, 2001-04-06, Przybilla J. /
Keller
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5/9
瑞萨MCU/MPU
京公网安备 11010802033920号
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