N
Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor
Datenblatt / Data sheet
T1258N
V
DRM
,V
RRM
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Höchstzulässige Werte / Maximum rated values
Periodische Vorwärts- und Rückwärts-Spitzensperrspannung T
vj
= -40°C... T
vj max
enndaten
repetitive peak forward off-state and reverse voltages
Vorwärts-Stoßspitzensperrspannung
non-repetitive peak forward off-state voltage
Rückwärts-Stoßspitzensperrspannung
non-repetitive peak reverse voltage
Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert
maximum RMS on-state current
Dauergrenzstrom
average on-state current
Stoßstrom-Grenzwert
surge current
Grenzlastintegral
I²t-value
Kritische Stromsteilheit
critical rate of rise of on-state current
Kritische Spannungssteilheit
critical rate of rise of off-state voltage
T
C
= 85 °C
T
C
= 67 °C
T
vj
= 25 °C, t
P
= 10 ms
T
vj
= T
vj max
, t
P
= 10 ms
T
vj
= 25 °C, t
P
= 10 ms
T
vj
= T
vj max
, t
P
= 10 ms
DIN IEC 60747-6
f = 50 Hz, i
GM
= 1 A, di
G
/dt = 1 A/µs
T
vj
= T
vj max
, v
D
= 0,67 V
DRM
th
5.Kennbuchstabe / 5 letter F
T
vj
= -40°C... T
vj max
Elektrische Eigenschaften
T
vj
= +25°C... T
vj max
V
DSM
V
RSM
I
TRMSM
I
TAVM
I
TSM
I²t
(di
T
/dt)
cr
(dv
D
/dt)
cr
200
400
600
200
400
600
250
450
650
2500
V
V
V
V
V
V
V
V
V
A
1258 A
1600 A
23000 A
20000 A
2650 10³ A²s
2000 10³ A²s
120 A/µs
1000 V/µs
Charakteristische Werte / Characteristic values
Durchlaßspannung
on-state voltage
Schleusenspannung
threshold voltage
Ersatzwiderstand
slope resistance
Durchlaßkennlinie
500 A
≤
i
T
≤
6000 A
on-state characteristic
T
vj
= T
vj max
, i
T
= 4,5 kA
T
vj
= T
vj max
, i
T
= 1 kA
T
vj
= T
vj max
T
vj
= T
vj max
T
vj
= T
vj max
v
T
V
(TO)
r
T
A=
B=
C=
D=
I
GT
V
GT
I
GD
V
GD
I
H
max.
max.
1,50 V
1,15 V
1,00 V
0,10 mΩ
v
T
=
A
+
B
⋅
i
T
+
C
⋅
ln ( i
T
+
1)
+
D
⋅
Zündstrom
gate trigger current
Zündspannung
gate trigger voltage
Nicht zündender Steuerstrom
gate non-trigger current
Nicht zündende Steuerspannung
gate non-trigger voltage
Haltestrom
holding current
Einraststrom
latching current
Vorwärts- und Rückwärts-Sperrstrom
forward off-state and reverse current
Zündverzug
gate controlled delay time
i
T
T
vj
= 25 °C, v
D
= 12V
T
vj
= 25 °C, v
D
= 12V
T
vj
= T
vj max
, v
D
= 12V
T
vj
= T
vj max
, v
D
= 0,5 V
DRM
T
vj
= T
vj max
, v
D
= 0,5 V
DRM
T
vj
= 25°C, v
D
= 12V
1,132E+00
5,833E-05
-3,109E-02
5,426E-03
max.
max.
max.
max.
max.
max.
max.
max.
max.
250 mA
1,5 V
10 mA
5 mA
0,2 V
300 mA
1200 mA
80 mA
4 µs
T
vj
= 25°C, v
D
= 12V, R
GK
≥
10
Ω
I
L
i
GM
= 1 A, di
G
/dt = 1 A/µs, t
g
= 20 µs
T
vj
= T
vj max
v
D
= V
DRM
, v
R
= V
RRM
i
D
, i
R
DIN IEC 60747-6
t
gd
T
vj
= 25 °C, i
GM
= 1 A, di
G
/dt = 1 A/µs
prepared by: H.Sandmann
approved by: J.Przybilla
date of publication: 2006-09-06
revision:
1
A 513 MT3 / 21.10.87, K.-A. Rüther
A 22/87
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N
Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor
Datenblatt / Data sheet
T1258N
Thermische Eigenschaften
Mechanische Eigenschaften
Kühlfläche / cooling surface
beidseitig / two-sided,
θ
= 180°sin
beidseitig / two-sided, DC
Anode / anode,
θ
= 180°sin
Anode / anode, DC
Kathode / cathode,
θ
= 180°sin
Kathode / cathode, DC
Kühlfläche / cooling surface
beidseitig / two-sides
einseitig / single-sides
T
vj
= T
vj max
, i
TM
= I
TAVM
v
RM
= 100 V, v
DM
= 0,67 V
DRM
dv
D
/dt = 20 V/µs, -di
T
/dt = 10 A/µs
th
4.Kennbuchstabe / 4 letter O
t
q
typ.
200
µs
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Charakteristische Werte / Characteristic values
Freiwerdezeit
circuit commutated turn-off time
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
Innerer Wärmewiderstand
thermal resistance, junction to case
R
thJC
max.
max.
max.
max.
max.
max.
max.
max.
0,033
0,030
0,059
0,056
0,068
0,065
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
Übergangs-Wärmewiderstand
thermal resistance, case to heatsink
Höchstzulässige Sperrschichttemperatur
maximum junction temperature
Betriebstemperatur
operating temperature
Lagertemperatur
storage temperature
R
thCH
T
vj max
T
c op
T
stg
0,005 °C/W
0,010 °C/W
140 °C
-40...+140 °C
-40...+140 °C
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
Gehäuse, siehe Anlage
case, see annex
Si-Element mit Druckkontakt
Si-pellet with pressure contact
Anpresskraft
clamping force
Steueranschlüsse
control terminals
Gewicht
weight
Kriechstrecke
creepage distance
Schwingfestigkeit
vibration resistance
f = 50 Hz
DIN 46244
Gate
Kathode / cathode
G
F
Seite 3
page 3
12...24
A 2,8x0,8
A 4,8x0,8
typ.
kN
160 g
17 mm
50 m/s²
A 513 MT3 / 21.10.87, K.-A. Rüther
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N
Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor
Datenblatt / Data sheet
T1258N
Maßbild
x) Pumpröhrchen (isoliert betreiben!), evacuation pipe (keep insulated!)
4 5
1
2
1:
Anode / Anode
2:
Kathode / Cathode
4:
Gate
5:
Hilfskathode/
Auxiliary Cathode
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N
Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor
Datenblatt / Data sheet
T1258N
R,t – Werte
Diagramme
Kühlung /
Diagramme
Cooling
beidseitig
two-sided
Analytische Elemente des transienten Wärmewiderstandes Z
thJC
für DC
Analytical elements of transient thermal impedance Z
thJC
for DC
Pos. n
R
thn
[°C/W]
Trans. Wärmewid. beidseitig
0,00160
0,00260
0,00240
0,01230
0,00064
0,00160
0,00064
0,00160
0,00064
0,00340
0,00260
0,00340
0,00260
0,00340
0,01270
0,00240
0,01270
0,00240
0,01270
0,07220
0,01230
0,07220
0,01230
0,07220
1
2
3
4
5
6
-
-
-
-
-
-
-t
7
-
-
-
-
-
-
0,01110
τ
n
[s]
R
thn
[°C/W]
0,52300
0,03710
2,30000
0,04610
1,87000
n
max
n=1
anodenseitig
anode-sided
τ
n
[s]
R
thn
[°C/W]
kathodenseitig
catode-sided
τ
n
[s]
Analytische Funktion / Analytical function:
Z
thJC
=
Σ
R
thn
1
−
e
τ
n
0,07
0,06
c
a
0,05
Z
thJC
[°C/W]
0,04
0,03
0,02
0,01
0,00
0,001
b
0,01
0,1
t [s]
1
10
100
Transienter innerer Wärmewiderstand für DC /Transient thermal impedance for DC
Z
thJC
= f(t)
a - Anodenseitige Kühlung / Anode-sided cooling
b - Beidseitige Kühlung / Two-sided cooling
c - Kathodenseitige Kühlung / Cathode-sided cooling
A 513 MT3 / 21.10.87, K.-A. Rüther
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N
Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor
Datenblatt / Data sheet
T1258N
Durchlasskennlinie
Θ
= 180°
∆Z
th
Θ
rec
[°C/W]
∆Z
th
Θ
sin
[°C/W]
∆Z
th
Θ
rec
[°C/W]
∆Z
th
Θ
sin
[°C/W]
∆Z
th
Θ
rec
[°C/W]
∆Z
th
Θ
sin
[°C/W]
0,00579
0,00289
Θ
= 120°
0,00992
0,00453
Erhöhung des Z
th DC
bei Sinus und Rechteckströmen mit unterschiedlichen Stromflusswinkeln
Θ
Rise of Z
th DC
for sinewave and rectangular current with different current conduction angles
Θ
∆Z
th
Θ
rec
/
∆Z
th
Θ
sin
Kühlung / Cooling
Θ
= 90°
0,01324
0,00680
Θ
= 60°
0,01857
0,01093
Θ
= 30°
0,02959
0,02142
beidseitig
two-sided
0,00577
0,00989
0,01320
0,01853
0,02955
anodenseitig
anode-sided
0,00286
0,00581
0,00291
0,00450
0,00994
0,00454
0,00676
0,01326
0,00682
0,01088
0,01860
0,01095
0,02138
0,02963
0,02146
kathodenseitig
cathode-sided
Z
th
Θ
rec
= Z
th DC
+
∆Z
th
Θ
rec
Z
th
Θ
sin
= Z
th DC
+
∆Z
th
Θ
sin
7.000
6.000
5.000
4.000
3.000
2.000
1.000
0
1
1,1
1,2
1,3
V
T
[V]
1,4
1,5
1,6
1,7
T
vj
= T
vj max
i
T
[A]
Grenzdurchlaßkennlinie / Limiting on-state characteristic i
T
= f(v
T
)
T
vj
= T
vj max
A 513 MT3 / 21.10.87, K.-A. Rüther
A 22/87
Seite/page
5/10
FPGA/CPLD
京公网安备 11010802033920号
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