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SSP7461P

产品描述P-Channel Enhancement MOSFET
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小170KB,共2页
制造商SECOS
官网地址http://www.secosgmbh.com/
标准
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SSP7461P概述

P-Channel Enhancement MOSFET

SSP7461P规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称SECOS
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-F5
Reach Compliance Codecompli
ECCN代码EAR99
外壳连接DRAIN
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压60 V
最大漏极电流 (ID)10 A
最大漏源导通电阻0.045 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码R-PDSO-F5
元件数量1
端子数量5
工作模式ENHANCEMENT MODE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
极性/信道类型P-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)50 A
表面贴装YES
端子形式FLAT
端子位置DUAL
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
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