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IRFS5615TRRPBF

产品描述Power Field-Effect Transistor, 33A I(D), 150V, 0.042ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB, LEAD FREE, D2PAK-3
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小346KB,共9页
制造商International Rectifier ( Infineon )
官网地址http://www.irf.com/
标准  
下载文档 详细参数 选型对比 全文预览

IRFS5615TRRPBF概述

Power Field-Effect Transistor, 33A I(D), 150V, 0.042ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB, LEAD FREE, D2PAK-3

IRFS5615TRRPBF规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称International Rectifier ( Infineon )
零件包装代码D2PAK
包装说明SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数3
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
雪崩能效等级(Eas)109 mJ
外壳连接DRAIN
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压150 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)33 A
最大漏极电流 (ID)33 A
最大漏源导通电阻0.042 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码TO-263AB
JESD-30 代码R-PSSO-G2
JESD-609代码e3
湿度敏感等级1
元件数量1
端子数量2
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度175 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)260
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)144 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)140 A
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层MATTE TIN OVER NICKEL
端子形式GULL WING
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间30
晶体管应用AMPLIFIER
晶体管元件材料SILICON

IRFS5615TRRPBF相似产品对比

IRFS5615TRRPBF
描述 Power Field-Effect Transistor, 33A I(D), 150V, 0.042ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB, LEAD FREE, D2PAK-3
是否无铅 不含铅
是否Rohs认证 符合
厂商名称 International Rectifier ( Infineon )
零件包装代码 D2PAK
包装说明 SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数 3
Reach Compliance Code compliant
ECCN代码 EAR99
雪崩能效等级(Eas) 109 mJ
外壳连接 DRAIN
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 150 V
最大漏极电流 (Abs) (ID) 33 A
最大漏极电流 (ID) 33 A
最大漏源导通电阻 0.042 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码 TO-263AB
JESD-30 代码 R-PSSO-G2
JESD-609代码 e3
湿度敏感等级 1
元件数量 1
端子数量 2
工作模式 ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 175 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度) 260
极性/信道类型 N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs) 144 W
最大脉冲漏极电流 (IDM) 140 A
认证状态 Not Qualified
表面贴装 YES
端子面层 MATTE TIN OVER NICKEL
端子形式 GULL WING
端子位置 SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间 30
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