EDO DRAM, 256KX16, 50ns, CMOS, PDSO40, 0.400 INCH, TSOP2-40
参数名称 | 属性值 |
是否Rohs认证 | 不符合 |
厂商名称 | Integrated Silicon Solution ( ISSI ) |
包装说明 | 0.400 INCH, TSOP2-40 |
Reach Compliance Code | compliant |
访问模式 | EDO PAGE |
最长访问时间 | 50 ns |
其他特性 | RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH |
I/O 类型 | COMMON |
JESD-30 代码 | R-PDSO-G40 |
JESD-609代码 | e0 |
内存密度 | 4194304 bit |
内存集成电路类型 | EDO DRAM |
内存宽度 | 16 |
功能数量 | 1 |
端口数量 | 1 |
端子数量 | 40 |
字数 | 262144 words |
字数代码 | 256000 |
工作模式 | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度 | 85 °C |
最低工作温度 | -40 °C |
组织 | 256KX16 |
输出特性 | 3-STATE |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装代码 | SOP |
封装等效代码 | TSOP40/44,.46,32 |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | SMALL OUTLINE |
电源 | 5 V |
认证状态 | Not Qualified |
刷新周期 | 512 |
自我刷新 | NO |
最大待机电流 | 0.001 A |
最大压摆率 | 0.18 mA |
最大供电电压 (Vsup) | 5.5 V |
最小供电电压 (Vsup) | 4.5 V |
标称供电电压 (Vsup) | 5 V |
表面贴装 | YES |
技术 | CMOS |
温度等级 | INDUSTRIAL |
端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式 | GULL WING |
端子节距 | 0.8 mm |
端子位置 | DUAL |
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