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D475N32B

产品描述Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 475A, 3200V V(RRM), Silicon,
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小109KB,共5页
制造商Infineon(英飞凌)
官网地址http://www.infineon.com/
下载文档 详细参数 选型对比 全文预览

D475N32B概述

Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 475A, 3200V V(RRM), Silicon,

D475N32B规格参数

参数名称属性值
厂商名称Infineon(英飞凌)
包装说明O-MUPM-H1
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
应用POWER
外壳连接ANODE
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)1.78 V
JESD-30 代码O-MUPM-H1
最大非重复峰值正向电流10900 A
元件数量1
相数1
端子数量1
最高工作温度160 °C
最大输出电流475 A
封装主体材料METAL
封装形状ROUND
封装形式POST/STUD MOUNT
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压3200 V
表面贴装NO
端子形式HIGH CURRENT CABLE
端子位置UPPER

D475N32B相似产品对比

D475N32B D475N36B D475N36BXPSA1 D475K40B
描述 Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 475A, 3200V V(RRM), Silicon, Rectifiers 4KV 56A DIODE GEN PURP 3.6KV 475A Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 475A, 4000V V(RRM), Silicon,
厂商名称 Infineon(英飞凌) Infineon(英飞凌) Infineon(英飞凌) Infineon(英飞凌)
Reach Compliance Code unknown compliant compliant compliant
二极管类型 RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE
应用 POWER POWER - POWER
外壳连接 ANODE ANODE - CATHODE
配置 SINGLE SINGLE - SINGLE
二极管元件材料 SILICON SILICON - SILICON
最大正向电压 (VF) 1.78 V 1.78 V - 1.78 V
JESD-30 代码 O-MUPM-H1 O-MUPM-H1 - O-MUPM-H1
最大非重复峰值正向电流 10900 A 10900 A - 10900 A
元件数量 1 1 - 1
相数 1 1 - 1
端子数量 1 1 - 1
最高工作温度 160 °C 160 °C - 160 °C
最大输出电流 475 A 475 A - 475 A
封装主体材料 METAL METAL - METAL
封装形状 ROUND ROUND - ROUND
封装形式 POST/STUD MOUNT POST/STUD MOUNT - POST/STUD MOUNT
认证状态 Not Qualified Not Qualified - Not Qualified
最大重复峰值反向电压 3200 V 3600 V - 4000 V
表面贴装 NO NO - NO
端子形式 HIGH CURRENT CABLE HIGH CURRENT CABLE - HIGH CURRENT CABLE
端子位置 UPPER UPPER - UPPER
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