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H2N5551C

产品描述Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), NPN
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小53KB,共5页
制造商HSMC
官网地址http://www.hsmc.com.tw/
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H2N5551C概述

Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), NPN

H2N5551C规格参数

参数名称属性值
厂商名称HSMC
包装说明,
Reach Compliance Codeunknown
最大集电极电流 (IC)0.6 A
配置Single
最小直流电流增益 (hFE)160
元件数量1
最高工作温度150 °C
极性/信道类型NPN
最大功率耗散 (Abs)0.625 W
表面贴装NO
标称过渡频率 (fT)100 MHz

H2N5551C相似产品对比

H2N5551C H2N5551N H2N5551A
描述 Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), NPN Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), NPN Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), NPN
Reach Compliance Code unknown unknown unknown
最大集电极电流 (IC) 0.6 A 0.6 A 0.6 A
配置 Single Single Single
最小直流电流增益 (hFE) 160 100 80
最高工作温度 150 °C 150 °C 150 °C
极性/信道类型 NPN NPN NPN
最大功率耗散 (Abs) 0.625 W 0.625 W 0.625 W
表面贴装 NO NO NO
标称过渡频率 (fT) 100 MHz 100 MHz 100 MHz
Base Number Matches - 1 1

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