SRAM Module, 32KX8, 180ns, CMOS
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 |
| 厂商名称 | Harris |
| 包装说明 | DIP, DIP28,.6 |
| Reach Compliance Code | unknown |
| ECCN代码 | 3A001.A.2.C |
| 最长访问时间 | 180 ns |
| I/O 类型 | COMMON |
| JESD-30 代码 | R-XDMA-T28 |
| JESD-609代码 | e0 |
| 内存密度 | 262144 bit |
| 内存集成电路类型 | SRAM MODULE |
| 内存宽度 | 8 |
| 功能数量 | 1 |
| 端口数量 | 1 |
| 端子数量 | 28 |
| 字数 | 32768 words |
| 字数代码 | 32000 |
| 工作模式 | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 125 °C |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 组织 | 32KX8 |
| 输出特性 | 3-STATE |
| 可输出 | YES |
| 封装主体材料 | UNSPECIFIED |
| 封装代码 | DIP |
| 封装等效代码 | DIP28,.6 |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | MICROELECTRONIC ASSEMBLY |
| 并行/串行 | PARALLEL |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED |
| 电源 | 5 V |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 筛选级别 | 38535Q/M;38534H;883B |
| 最大待机电流 | 0.00075 A |
| 最小待机电流 | 2 V |
| 最大压摆率 | 0.038 mA |
| 最大供电电压 (Vsup) | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 5 V |
| 表面贴装 | NO |
| 技术 | CMOS |
| 温度等级 | MILITARY |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE |
| 端子节距 | 2.54 mm |
| 端子位置 | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
| HM5-8832-8 | HM5-8832B-8 | |
|---|---|---|
| 描述 | SRAM Module, 32KX8, 180ns, CMOS | SRAM Module, 32KX8, 180ns, CMOS |
| 是否Rohs认证 | 不符合 | 不符合 |
| 厂商名称 | Harris | Harris |
| 包装说明 | DIP, DIP28,.6 | DIP, DIP28,.6 |
| Reach Compliance Code | unknown | unknown |
| ECCN代码 | 3A001.A.2.C | 3A001.A.2.C |
| 最长访问时间 | 180 ns | 180 ns |
| I/O 类型 | COMMON | COMMON |
| JESD-30 代码 | R-XDMA-T28 | R-XDMA-T28 |
| JESD-609代码 | e0 | e0 |
| 内存密度 | 262144 bit | 262144 bit |
| 内存集成电路类型 | SRAM MODULE | SRAM MODULE |
| 内存宽度 | 8 | 8 |
| 功能数量 | 1 | 1 |
| 端口数量 | 1 | 1 |
| 端子数量 | 28 | 28 |
| 字数 | 32768 words | 32768 words |
| 字数代码 | 32000 | 32000 |
| 工作模式 | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 125 °C | 125 °C |
| 最低工作温度 | -55 °C | -55 °C |
| 组织 | 32KX8 | 32KX8 |
| 输出特性 | 3-STATE | 3-STATE |
| 可输出 | YES | YES |
| 封装主体材料 | UNSPECIFIED | UNSPECIFIED |
| 封装代码 | DIP | DIP |
| 封装等效代码 | DIP28,.6 | DIP28,.6 |
| 封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
| 封装形式 | MICROELECTRONIC ASSEMBLY | MICROELECTRONIC ASSEMBLY |
| 并行/串行 | PARALLEL | PARALLEL |
| 电源 | 5 V | 5 V |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified |
| 筛选级别 | 38535Q/M;38534H;883B | 38535Q/M;38534H;883B |
| 最大待机电流 | 0.00075 A | 0.0002 A |
| 最小待机电流 | 2 V | 2 V |
| 最大压摆率 | 0.038 mA | 0.038 mA |
| 最大供电电压 (Vsup) | 5.5 V | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 4.5 V | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 5 V | 5 V |
| 表面贴装 | NO | NO |
| 技术 | CMOS | CMOS |
| 温度等级 | MILITARY | MILITARY |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE | THROUGH-HOLE |
| 端子节距 | 2.54 mm | 2.54 mm |
| 端子位置 | DUAL | DUAL |
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