Cache SRAM, 1MX18, 6.5ns, CMOS, PBGA165, 13 X 15 MM, 1 MM PITCH, FPBGA-165
参数名称 | 属性值 |
厂商名称 | GSI Technology |
包装说明 | LBGA, |
Reach Compliance Code | compliant |
ECCN代码 | 3A991.B.2.B |
最长访问时间 | 6.5 ns |
其他特性 | IT ALSO OPERATES AT 3.3 V NOMINAL SUPPLY VOLTAGE |
JESD-30 代码 | R-PBGA-B165 |
长度 | 15 mm |
内存密度 | 18874368 bit |
内存集成电路类型 | CACHE SRAM |
内存宽度 | 18 |
功能数量 | 1 |
端子数量 | 165 |
字数 | 1048576 words |
字数代码 | 1000000 |
工作模式 | SYNCHRONOUS |
最高工作温度 | 125 °C |
最低工作温度 | -55 °C |
组织 | 1MX18 |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装代码 | LBGA |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | GRID ARRAY, LOW PROFILE |
并行/串行 | PARALLEL |
座面最大高度 | 1.4 mm |
最大供电电压 (Vsup) | 2.7 V |
最小供电电压 (Vsup) | 2.3 V |
标称供电电压 (Vsup) | 2.5 V |
表面贴装 | YES |
技术 | CMOS |
温度等级 | MILITARY |
端子形式 | BALL |
端子节距 | 1 mm |
端子位置 | BOTTOM |
宽度 | 13 mm |
GS816218DD-200MT | GS816236DD-200M | GS816236DD-200MT | |
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描述 | Cache SRAM, 1MX18, 6.5ns, CMOS, PBGA165, 13 X 15 MM, 1 MM PITCH, FPBGA-165 | Cache SRAM, 512KX36, 6.5ns, CMOS, PBGA165, 13 X 15 MM, 1 MM PITCH, FPBGA-165 | Cache SRAM, 512KX36, 6.5ns, CMOS, PBGA165, 13 X 15 MM, 1 MM PITCH, FPBGA-165 |
包装说明 | LBGA, | LBGA, | LBGA, |
Reach Compliance Code | compliant | compliant | compliant |
ECCN代码 | 3A991.B.2.B | 3A991.B.2.B | 3A991.B.2.B |
最长访问时间 | 6.5 ns | 6.5 ns | 6.5 ns |
其他特性 | IT ALSO OPERATES AT 3.3 V NOMINAL SUPPLY VOLTAGE | IT ALSO OPERATES AT 3.3 V NOMINAL SUPPLY VOLTAGE | IT ALSO OPERATES AT 3.3 V NOMINAL SUPPLY VOLTAGE |
JESD-30 代码 | R-PBGA-B165 | R-PBGA-B165 | R-PBGA-B165 |
长度 | 15 mm | 15 mm | 15 mm |
内存密度 | 18874368 bit | 18874368 bit | 18874368 bit |
内存集成电路类型 | CACHE SRAM | CACHE SRAM | CACHE SRAM |
内存宽度 | 18 | 36 | 36 |
功能数量 | 1 | 1 | 1 |
端子数量 | 165 | 165 | 165 |
字数 | 1048576 words | 524288 words | 524288 words |
字数代码 | 1000000 | 512000 | 512000 |
工作模式 | SYNCHRONOUS | SYNCHRONOUS | SYNCHRONOUS |
最高工作温度 | 125 °C | 125 °C | 125 °C |
最低工作温度 | -55 °C | -55 °C | -55 °C |
组织 | 1MX18 | 512KX36 | 512KX36 |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
封装代码 | LBGA | LBGA | LBGA |
封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
封装形式 | GRID ARRAY, LOW PROFILE | GRID ARRAY, LOW PROFILE | GRID ARRAY, LOW PROFILE |
并行/串行 | PARALLEL | PARALLEL | PARALLEL |
座面最大高度 | 1.4 mm | 1.4 mm | 1.4 mm |
最大供电电压 (Vsup) | 2.7 V | 2.7 V | 2.7 V |
最小供电电压 (Vsup) | 2.3 V | 2.3 V | 2.3 V |
标称供电电压 (Vsup) | 2.5 V | 2.5 V | 2.5 V |
表面贴装 | YES | YES | YES |
技术 | CMOS | CMOS | CMOS |
温度等级 | MILITARY | MILITARY | MILITARY |
端子形式 | BALL | BALL | BALL |
端子节距 | 1 mm | 1 mm | 1 mm |
端子位置 | BOTTOM | BOTTOM | BOTTOM |
宽度 | 13 mm | 13 mm | 13 mm |
Base Number Matches | - | 1 | 1 |
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