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TS868C08R

产品描述80 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小464KB,共6页
制造商FUJI
官网地址http://www.fujielectric.co.jp/eng/fdt/scd/
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TS868C08R概述

80 V, SILICON, RECTIFIER DIODE

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http://www.fujisemi.com
TS868C08R
Schottky Barrier Diode
Maximum Rating and Characteristics
Maximum ratings (at Ta=25˚C unless otherwise specified.)
Item
Repetitive peak reverse voltage
Average output current
Non-repetitive forward surge current**
Operating junction temperature
Storage temperature
Note* Out put current of center tap full wave connection.
Note** Rating per element
FUJI Diode
Symbols
V
RRM
Io
I
FSM
Tj
Tstg
Conditions
-
50Hz square wave duty =1/2
Tc =105˚C
Sine wave, 10ms 1shot
-
-
Ratings
80
30*
160
150
-40 to + 150
Units
V
A
A
˚C
˚C
Electrical characteristics
Item
Forward voltage***
Reverse current***
Thermal resistance
Note*** Rating per element
(at Ta=25˚C unless otherwise specified.)
Symbols
V
F
I
R
Rth(j-c)
I
F
= 15 A
V
R
=V
RRM
Junction to case
Conditions
Maximum
0.76
200
1.25
Units
V
µA
˚C/W
Mechanical characteristics
Item
Approximate mass
Conditions
-
Maximum
1.6
Units
g
1

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