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SMFB13L

产品描述1 A, 30 V, SILICON, SIGNAL DIODE
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小574KB,共2页
制造商KEC
官网地址http://www.keccorp.com/
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SMFB13L概述

1 A, 30 V, SILICON, SIGNAL DIODE

SMFB13L规格参数

参数名称属性值
厂商名称KEC
包装说明R-PDSO-F2
针数2
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
其他特性FREE WHEELING DIODE, LOW POWER LOSS
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码R-PDSO-F2
元件数量1
端子数量2
最高工作温度125 °C
最低工作温度-40 °C
最大输出电流1 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压30 V
表面贴装YES
技术SCHOTTKY
端子形式FLAT
端子位置DUAL

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SEMICONDUCTOR
TECHNICAL DATA
SWITCHING TYPE POWER SUPPLY APPLICATIONS.
SMFB13L
SCHOTTKY BARRIER TYPE DIODE
FEATURES
・Low
Profile Surface Mount Package.
・Low
Power Loss, High Efficiency.
・For
Use in Low Voltage, High Frequency inverters, Free
Wheeling, and Polarity Protection Applications.
APPLICATION
・Switching
Power Supply.
・Reversed
Battery Connection Protection.
・DC/DC
Converter.
・Cellular
Phones.
MAXIMUM RATING (Ta=25℃)
CHARACTERISTIC
Maximum Repetitive Peak Reverse Voltage
Average Output Rectitifed Current
Peak One Cycle Surge Forward Current
(Non-Repetitive 60Hz)
Junction Temperature
Storage Temperature Range
SYMBOL
V
RRM
I
O
I
FSM
T
j
T
stg
RATING
30
1
22
-40½125
-40½125
UNIT
V
A
A
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25℃)
CHARACTERISTIC
Peak Forward Voltage
Repetitive Peak Reverse Current
SYMBOL
V
FM
I
RRM
V
RRM
=Rated
R
th(j-1)
Thermal Resistance
R
th(j-a)
Junction to lead
Junction to ambient
(on a grass-epoxy board)
-
-
-
-
-
-
1.0
1.0
℃/W
140
mA
TEST CONDITION
I
FM
=1.0A
V
RRM
=20V
MIN.
-
-
TYP.
-
-
MAX.
0.36
0.7
UNIT
V
mA
2011. 9. 26
Revision No : 7
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