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SMFB13

产品描述1 A, 30 V, SILICON, SIGNAL DIODE
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小28KB,共2页
制造商KEC
官网地址http://www.keccorp.com/
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SMFB13概述

1 A, 30 V, SILICON, SIGNAL DIODE

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SEMICONDUCTOR
TECHNICAL DATA
SWITCHING TYPE POWER SUPPLY APPLICATIONS.
SMFB13
SCHOTTKY BARRIER TYPE DIODE
2
FEATURES
・Repetitive
Peak Reverse Voltage : V
RRM
=30V.
・Averge
Output Rectitifed Current : I
O
=1.0A.
・Feak
Forward Voltage : V
FM
=0.42V(max.)
・For
Use in Low Voltage, High Frequency inverters, Free
Wheeling, and Polarity Protection Applications.
1
C
D
DIM
A
B
C
D
E
F
G
H
A
B
APPLICATION
・Switching
Power Supply.
・Reversed
Battery Connection Protection.
・DC/DC
Converter.
・Cellular
Phones.
G
1. ANODE
2. CATHODE
H
MILLIMETERS
_
2.6 + 0.05
_
3.5+ 0.1
_
0.9 + 0.05
_
1.6 + 0.05
_
0.65+ 0.05
_
0.11+ 0.05
0 ~ 0.1
_
0.98+ 0.05
MAXIMUM RATING (Ta=25℃)
CHARACTERISTIC
Maximum Repetitive Peak Reverse Voltage
Average Output Rectitifed Current
Peak One Cycle Surge Forward Current
(Non-Repetitive 60Hz)
Junction Temperature
Storage Temperature Range
SYMBOL
V
RRM
I
O
I
FSM
T
j
T
stg
RATING
30
1
22
-65½150
-65½150
UNIT
V
A
A
SMF
Marking
E
F
E
Lot No.
B13
Type Name
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25℃)
CHARACTERISTIC
Peak Forward Voltage
Repetitive Peak Reverse Current
SYMBOL
V
FM
I
RRM
R
th(j-1)
Thermal Resistance
R
th(j-a)
TEST CONDITION
I
FM
=1.0A
V
RRM
=Rated
Junction to lead
Junction to ambient
(on a grass-epoxy board)
MIN.
-
-
-
-
TYP.
-
-
-
-
MAX.
0.42
50
20
℃/W
140
UNIT
V
2008 .9 11
Revision No : 7
1/2

 
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