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SSG4543C

产品描述N & P-Ch Enhancement Mode Power MOSFET
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小1MB,共6页
制造商SECOS
官网地址http://www.secosgmbh.com/
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SSG4543C概述

N & P-Ch Enhancement Mode Power MOSFET

SSG4543C规格参数

参数名称属性值
厂商名称SECOS
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8
Reach Compliance Codecompliant
配置SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压40 V
最大漏极电流 (ID)6.5 A
最大漏源导通电阻0.032 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码R-PDSO-G8
元件数量2
端子数量8
工作模式ENHANCEMENT MODE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
极性/信道类型N-CHANNEL AND P-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)50 A
表面贴装YES
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON

 
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