N & P-Ch Enhancement Mode Power MOSFET
参数名称 | 属性值 |
厂商名称 | SECOS |
包装说明 | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8 |
Reach Compliance Code | compliant |
配置 | SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压 | 40 V |
最大漏极电流 (ID) | 6.5 A |
最大漏源导通电阻 | 0.032 Ω |
FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JESD-30 代码 | R-PDSO-G8 |
元件数量 | 2 |
端子数量 | 8 |
工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | SMALL OUTLINE |
极性/信道类型 | N-CHANNEL AND P-CHANNEL |
最大脉冲漏极电流 (IDM) | 50 A |
表面贴装 | YES |
端子形式 | GULL WING |
端子位置 | DUAL |
晶体管应用 | SWITCHING |
晶体管元件材料 | SILICON |
电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved