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SBT3906UF

产品描述PNP Silicon Transistor
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小274KB,共4页
制造商KODENSHI
官网地址http://www.kodenshi.co.jp
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SBT3906UF概述

PNP Silicon Transistor

SBT3906UF规格参数

参数名称属性值
包装说明,
Reach Compliance Codeunknow
Base Number Matches1

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SBT3906UF
PNP Silicon Transistor
Descriptions
General small signal application
Switching application
PIN Connection
Features
Low collector saturation voltage
Collector output capacitance
1
2
3
Ordering Information
Type NO.
SBT3906UF
Marking
EQ
① ②
①Device
Code
Year&Week Code
SOT-323F
Package Code
SOT-323F
Absolute maximum ratings
Characteristic
Collector-Base voltage
Collector-Emitter voltage
Emitter-Base voltage
Collector current
Collector
Power
dissipation
Junction temperature
Storage temperature range
* : Package mounted on 99.5% alumina 10×8×0.6mm
Ta=25°C
Symbol
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
P
C*
T
j
T
stg
Ratings
-40
-40
-5
-200
200
150
-55~150
Unit
V
V
V
mA
mW
°C
°C
Electrical Characteristics
Characteristic
Collector-Base breakdown voltage
Collector-Emitter breakdown voltage
Emitter-Base breakdown voltage
Collector cut-off current
DC current gain
Collector-Emitter saturation voltage
Transition frequency
Collector output capacitance
Delay time
Rise time
Storage time
Fall Time
Ta=25°C
Symbol
BV
CBO
BV
CEO
BV
EBO
I
CEX
h
FE
V
CE(sat)
f
T
C
ob
t
d
t
r
t
s
t
f
Test Condition
I
C
=-10μA, I
E
=0
I
C
=-1mA, I
B
=0
I
E
=-10μA, I
C
=0
V
CE
=-30V, V
EB
=-3V
V
CE
=-1V, I
C
=-10mA
I
C
=-50mA, I
B
=-5mA
V
CE
=-5V, I
C
=-10mA,
f=100MHz
V
CB
=-5V, I
E
=0, f=1MHz
V
CC
=-3V, I
C
=-10mA,
I
B1
=-1mA
V
CC
=-3V,I
C
=-10mA,
I
B1
=I
B2
=-1mA
Min. Typ. Max.
-40
-40
-5
-
100
-
250
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-50
300
-0.4
-
4.5
35
35
225
75
Unit
V
V
V
nA
-
V
MHz
pF
ns
ns
ns
ns
KSD-T5D014-001
1
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