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SBC547

产品描述NPN Silicon Transistor
文件大小196KB,共4页
制造商KODENSHI
官网地址http://www.kodenshi.co.jp
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SBC547概述

NPN Silicon Transistor

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SBC547
NPN Silicon Transistor
Descriptions
General purpose application
Switching application
PIN Connection
C
Features
High voltage : V
CEO
=45V
Complementary pair with SBC557
B
C
E
B
E
TO-92
Ordering Information
Type NO.
SBC547
Marking
SBC547
Package Code
TO-92
Absolute maximum ratings
Characteristic
Collector-Base voltage
Collector-Emitter voltage
Emitter-base voltage
Collector current
Collector dissipation
Junction temperature
Storage temperature
(Ta=25°C)
Symbol
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
P
C
T
j
T
stg
Ratings
50
45
5
100
625
150
-55~150
Unit
V
V
V
mA
mW
°C
°C
Electrical Characteristics
Characteristic
Collector-Emitter breakdown voltage
Base-Emitter turn on voltage
Base-Emitter saturation voltage
Collector-Emitter saturation voltage
Collector cut-off current
DC current gain
Transition frequency
Collector output capacitance
Noise figure
(Ta=25°C)
Symbol
BV
CEO
V
BE(ON)
V
BE(sat)
V
CE(sat)
I
CBO
h
FE
*
f
T
C
ob
NF
Test Condition
I
C
=1mA, I
B
=0
V
CE
=5V, I
C
=2mA
I
C
=100mA, I
B
=5mA
I
C
=100mA, I
B
=5mA
V
CB
=35V, I
E
=0
V
CE
=5V, I
C
=2mA
V
CE
=5V, I
C
=10mA
f=100MHz
V
CB
=10V, I
E
=0, f=1MHz
V
CE
=5V, I
C
=200μA,
f=1KHz, Rg=2KΩ
Min. Typ. Max.
45
550
-
-
-
110
-
-
-
-
-
900
-
-
-
150
-
-
-
700
-
600
15
800
-
4.5
10
Unit
V
mV
mV
mV
nA
-
MHz
pF
dB
* : h
FE
rank / A : 110 ~ 220, B : 200 ~ 450, C : 420 ~ 800
KSD-T0A042-000
1

 
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