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SRA2202M

产品描述PNP Silicon Transistor
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小152KB,共4页
制造商KODENSHI
官网地址http://www.kodenshi.co.jp
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SRA2202M概述

PNP Silicon Transistor

SRA2202M规格参数

参数名称属性值
厂商名称KODENSHI
包装说明,
Reach Compliance Codeunknow
最大集电极电流 (IC)0.1 A
最小直流电流增益 (hFE)50
元件数量1
极性/信道类型PNP
最大功率耗散 (Abs)0.4 W
表面贴装NO
晶体管元件材料SILICON

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SRA2202M
PNP Silicon Transistor
Descriptions
Switching application
Interface circuit and driver circuit application
PIN Connection
2. OUT
Features
With built-in bias resistors
Simplify circuit design
Reduce a quantity of parts and
manufacturing process
High packing density
123
3. IN
R
1
R
2
R
1
10KΩ
R
2
10KΩ
1. COMMON
Ordering Information
Type NO.
SRA2202M
Marking
2202
Package Code
TO-92M
Absolute Maximum Ratings
Characteristic
Output voltage
Input voltage
Output current
Power dissipation
Junction temperature
Storage temperature range
(Ta=25°C)
Symbol
V
O
V
I
I
O
P
D
T
J
T
stg
Rating
-50
-30, 10
-100
400
150
-55
150
Unit
V
V
mA
mW
°C
°C
Electrical Characteristics
Characteristic
Output cut-off current
DC current gain
Output voltage
Input voltage (ON)
Input voltage (OFF)
Transition frequency
Input current
Input resistor (Input to base)
Input resistor (Base to common)
(Ta=25°C)
Symbol
I
O(OFF)
G
I
V
O(ON)
V
I(ON)
V
I(OFF)
f
T
*
I
I
R
1
R
2
Test Condition
V
O
=-50V, V
I
=0
V
O
=-5V, I
O
=-10mA
I
O
=-10mA, I
I
=-0.5mA
V
O
=-0.2V, I
O
=-5mA
V
O
=-5V, I
O
=-0.1mA
V
O
=-10V, I
O
=-5mA, f=1MHz
V
I
=-5V, I
O
=0
-
-
Min. Typ. Max.
-
50
-
-
-1.0
-
-
7
7
-
80
-0.1
-1.8
-1.2
200
-
10
10
-500
-
-0.3
-2.4
-
-
-0.88
13
13
Unit
nA
-
V
V
V
MHz
mA
* : Characteristic of transistor only
KSD-R0B013-000
1
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