4MX64 EDO DRAM MODULE, 70ns, DMA168, DIMM-168
参数名称 | 属性值 |
厂商名称 | FUJITSU(富士通) |
零件包装代码 | DIMM |
包装说明 | , |
针数 | 168 |
Reach Compliance Code | unknown |
ECCN代码 | EAR99 |
访问模式 | FAST PAGE WITH EDO |
最长访问时间 | 70 ns |
其他特性 | RAS ONLY/CAS BEFORE RAS REFRESH |
备用内存宽度 | 32 |
JESD-30 代码 | R-XDMA-N168 |
内存密度 | 268435456 bit |
内存集成电路类型 | EDO DRAM MODULE |
内存宽度 | 64 |
功能数量 | 1 |
端口数量 | 1 |
端子数量 | 168 |
字数 | 4194304 words |
字数代码 | 4000000 |
工作模式 | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度 | 70 °C |
最低工作温度 | |
组织 | 4MX64 |
输出特性 | 3-STATE |
封装主体材料 | UNSPECIFIED |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | MICROELECTRONIC ASSEMBLY |
认证状态 | Not Qualified |
刷新周期 | 4096 |
最大供电电压 (Vsup) | 3.6 V |
最小供电电压 (Vsup) | 3 V |
标称供电电压 (Vsup) | 3.3 V |
表面贴装 | NO |
技术 | CMOS |
温度等级 | COMMERCIAL |
端子形式 | NO LEAD |
端子位置 | DUAL |
EDC4UV6444-70JG-S | EDC4UV6442-70JG-S | EDC4UV6442-60JG-S | EDC4UV6442-60TG-S | EDC4UV6444-60JG-S | EDC4UV6444-60TG-S | |
---|---|---|---|---|---|---|
描述 | 4MX64 EDO DRAM MODULE, 70ns, DMA168, DIMM-168 | 4MX64 EDO DRAM MODULE, 70ns, DMA168, DIMM-168 | 4MX64 EDO DRAM MODULE, 60ns, DMA168, DIMM-168 | 4MX64 EDO DRAM MODULE, 60ns, DMA168, DIMM-168 | 4MX64 EDO DRAM MODULE, 60ns, DMA168, DIMM-168 | 4MX64 EDO DRAM MODULE, 60ns, DMA168, DIMM-168 |
零件包装代码 | DIMM | DIMM | DIMM | DIMM | DIMM | DIMM |
针数 | 168 | 168 | 168 | 168 | 168 | 168 |
Reach Compliance Code | unknown | unknown | unknown | unknow | unknow | unknow |
ECCN代码 | EAR99 | EAR99 | EAR99 | EAR99 | EAR99 | EAR99 |
访问模式 | FAST PAGE WITH EDO | FAST PAGE WITH EDO | FAST PAGE WITH EDO | FAST PAGE WITH EDO | FAST PAGE WITH EDO | FAST PAGE WITH EDO |
最长访问时间 | 70 ns | 70 ns | 60 ns | 60 ns | 60 ns | 60 ns |
其他特性 | RAS ONLY/CAS BEFORE RAS REFRESH | RAS ONLY/CAS BEFORE RAS REFRESH | RAS ONLY/CAS BEFORE RAS REFRESH | RAS ONLY/CAS BEFORE RAS REFRESH | RAS ONLY/CAS BEFORE RAS REFRESH | RAS ONLY/CAS BEFORE RAS REFRESH |
备用内存宽度 | 32 | 32 | 32 | 32 | 32 | 32 |
JESD-30 代码 | R-XDMA-N168 | R-XDMA-N168 | R-XDMA-N168 | R-XDMA-N168 | R-XDMA-N168 | R-XDMA-N168 |
内存密度 | 268435456 bit | 268435456 bit | 268435456 bit | 268435456 bi | 268435456 bi | 268435456 bi |
内存集成电路类型 | EDO DRAM MODULE | EDO DRAM MODULE | EDO DRAM MODULE | EDO DRAM MODULE | EDO DRAM MODULE | EDO DRAM MODULE |
内存宽度 | 64 | 64 | 64 | 64 | 64 | 64 |
功能数量 | 1 | 1 | 1 | 1 | 1 | 1 |
端口数量 | 1 | 1 | 1 | 1 | 1 | 1 |
端子数量 | 168 | 168 | 168 | 168 | 168 | 168 |
字数 | 4194304 words | 4194304 words | 4194304 words | 4194304 words | 4194304 words | 4194304 words |
字数代码 | 4000000 | 4000000 | 4000000 | 4000000 | 4000000 | 4000000 |
工作模式 | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度 | 70 °C | 70 °C | 70 °C | 70 °C | 70 °C | 70 °C |
组织 | 4MX64 | 4MX64 | 4MX64 | 4MX64 | 4MX64 | 4MX64 |
输出特性 | 3-STATE | 3-STATE | 3-STATE | 3-STATE | 3-STATE | 3-STATE |
封装主体材料 | UNSPECIFIED | UNSPECIFIED | UNSPECIFIED | UNSPECIFIED | UNSPECIFIED | UNSPECIFIED |
封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
封装形式 | MICROELECTRONIC ASSEMBLY | MICROELECTRONIC ASSEMBLY | MICROELECTRONIC ASSEMBLY | MICROELECTRONIC ASSEMBLY | MICROELECTRONIC ASSEMBLY | MICROELECTRONIC ASSEMBLY |
认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified |
刷新周期 | 4096 | 2048 | 2048 | 2048 | 4096 | 4096 |
最大供电电压 (Vsup) | 3.6 V | 3.6 V | 3.6 V | 3.6 V | 3.6 V | 3.6 V |
最小供电电压 (Vsup) | 3 V | 3 V | 3 V | 3 V | 3 V | 3 V |
标称供电电压 (Vsup) | 3.3 V | 3.3 V | 3.3 V | 3.3 V | 3.3 V | 3.3 V |
表面贴装 | NO | NO | NO | NO | NO | NO |
技术 | CMOS | CMOS | CMOS | CMOS | CMOS | CMOS |
温度等级 | COMMERCIAL | COMMERCIAL | COMMERCIAL | COMMERCIAL | COMMERCIAL | COMMERCIAL |
端子形式 | NO LEAD | NO LEAD | NO LEAD | NO LEAD | NO LEAD | NO LEAD |
端子位置 | DUAL | DUAL | DUAL | DUAL | DUAL | DUAL |
厂商名称 | FUJITSU(富士通) | - | FUJITSU(富士通) | FUJITSU(富士通) | FUJITSU(富士通) | FUJITSU(富士通) |
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