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KSR1206

产品描述Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92S, 3 PIN
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小35KB,共4页
制造商Fairchild
官网地址http://www.fairchildsemi.com/
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KSR1206概述

Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92S, 3 PIN

KSR1206规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称Fairchild
零件包装代码TO-92S
包装说明IN-LINE, R-PSIP-T3
针数3
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
其他特性BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 4.7
最大集电极电流 (IC)0.1 A
集电极-发射极最大电压50 V
配置SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)68
JESD-30 代码R-PSIP-T3
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量3
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型NPN
最大功率耗散 (Abs)0.3 W
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)250 MHz

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KSR1206
KSR1206
Switching Application
(Bias Resistor Built In)
• Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver Circuit
• Built in bias Resistor (R
1
=10KΩ, R
2
=47KΩ)
• Complement to KSR2206
1
TO-92S
1.Emitter 2. Collector 3. Base
Equivalent Circuit
C
R1
B
R2
NPN Epitaxial Silicon Transistor
E
Absolute Maximum Ratings
T
a
=25°C unless otherwise noted
Symbol
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
P
C
T
J
T
STG
Collector-Base Voltage
Collector-Emitter Voltage
Emitter-Base Voltage
Collector Current
Collector Power Dissipation
Junction Temperature
Storage Temperature
Parameter
Value
50
50
10
100
300
150
-55 ~ 150
Units
V
V
V
mA
mW
°C
°C
Electrical Characteristics
T
a
=25°C unless otherwise noted
Symbol
BV
CBO
BV
CEO
I
CBO
h
FE
V
CE
(sat)
C
ob
f
T
V
I
(off)
V
I
(on)
R
1
R
1
/R
2
Parameter
Collector-Base Breakdown Voltage
Collector-Emitter Breakdown Voltage
Collector Cut-off Current
DC Current Gain
Collector-Emitter Saturation Voltage
Output Capacitance
Current Gain Bandwidth Product
Input Off Voltage
Input On Voltage
Input Resistor
Resistor Ratio
Test Condition
I
C
=10µA, I
E
=0
I
C
=100µA, I
B
=0
V
CB
=40V, I
E
=0
V
CE
=5V, I
C
=5mA
I
C
=10mA, I
B
=0.5mA
V
CB
=10V, I
E
=0
f=1.0MHz
V
CE
=10mA, I
C
=5mA
V
CE
=5V, I
C
=100µA
V
CE
=0.3V, I
C
=1A
7
0.19
10
0.21
0.3
1.4
13
0.24
3.7
250
68
0.3
V
pF
MHz
V
V
KΩ
Min.
50
50
0.1
Typ.
Max.
Units
V
V
µA
©2001 Fairchild Semiconductor Corporation
Rev. A1, July 2001

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