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KSH29-I

产品描述1 A, 40 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, IPAK-3
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小34KB,共1页
制造商Fairchild
官网地址http://www.fairchildsemi.com/
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KSH29-I概述

1 A, 40 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, IPAK-3

KSH29-I规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称Fairchild
包装说明IPAK-3
针数3
Reach Compliance Codeunknown
最大集电极电流 (IC)1 A
集电极-发射极最大电压40 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)15
JESD-30 代码R-PSIP-T3
元件数量1
端子数量3
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
极性/信道类型NPN
最大功率耗散 (Abs)15 W
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
晶体管应用AMPLIFIER
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)3 MHz

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This Material Copyrighted By Its Respective Manufacturer

KSH29-I相似产品对比

KSH29-I KSH29CI
描述 1 A, 40 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, IPAK-3 Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-251, Plastic/Epoxy, 3 Pin, IPAK-3
是否Rohs认证 不符合 不符合
厂商名称 Fairchild Fairchild
包装说明 IPAK-3 IPAK-3
针数 3 3
Reach Compliance Code unknown compliant
最大集电极电流 (IC) 1 A 1 A
集电极-发射极最大电压 40 V 100 V
配置 SINGLE SINGLE
最小直流电流增益 (hFE) 15 15
JESD-30 代码 R-PSIP-T3 R-PSIP-T3
元件数量 1 1
端子数量 3 3
最高工作温度 150 °C 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 IN-LINE IN-LINE
极性/信道类型 NPN NPN
最大功率耗散 (Abs) 15 W 15 W
认证状态 Not Qualified Not Qualified
表面贴装 NO NO
端子形式 THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE
端子位置 SINGLE SINGLE
晶体管应用 AMPLIFIER AMPLIFIER
晶体管元件材料 SILICON SILICON
标称过渡频率 (fT) 3 MHz 3 MHz
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