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KSD135

产品描述Power Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-126, Plastic/Epoxy, 3 Pin
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小29KB,共2页
制造商Fairchild
官网地址http://www.fairchildsemi.com/
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KSD135概述

Power Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-126, Plastic/Epoxy, 3 Pin

KSD135规格参数

参数名称属性值
厂商名称Fairchild
包装说明FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
外壳连接ISOLATED
最大集电极电流 (IC)1.5 A
集电极-发射极最大电压45 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)40
JEDEC-95代码TO-126
JESD-30 代码R-PSFM-T3
元件数量1
端子数量3
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
极性/信道类型NPN
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON

KSD135相似产品对比

KSD135 KSD139
描述 Power Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-126, Plastic/Epoxy, 3 Pin Power Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-126, Plastic/Epoxy, 3 Pin
厂商名称 Fairchild Fairchild
包装说明 FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code unknown unknown
ECCN代码 EAR99 EAR99
外壳连接 ISOLATED ISOLATED
最大集电极电流 (IC) 1.5 A 1.5 A
集电极-发射极最大电压 45 V 80 V
配置 SINGLE SINGLE
最小直流电流增益 (hFE) 40 40
JEDEC-95代码 TO-126 TO-126
JESD-30 代码 R-PSFM-T3 R-PSFM-T3
元件数量 1 1
端子数量 3 3
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT
极性/信道类型 NPN NPN
认证状态 Not Qualified Not Qualified
表面贴装 NO NO
端子形式 THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE
端子位置 SINGLE SINGLE
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON

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