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KSA643GJ18Z

产品描述Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92, 3 PIN
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小73KB,共3页
制造商Fairchild
官网地址http://www.fairchildsemi.com/
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KSA643GJ18Z概述

Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92, 3 PIN

KSA643GJ18Z规格参数

参数名称属性值
厂商名称Fairchild
零件包装代码TO-92
包装说明CYLINDRICAL, O-PBCY-T3
针数3
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
最大集电极电流 (IC)0.5 A
集电极-发射极最大电压20 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)200
JESD-30 代码O-PBCY-T3
元件数量1
端子数量3
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状ROUND
封装形式CYLINDRICAL
极性/信道类型PNP
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置BOTTOM
晶体管应用AMPLIFIER
晶体管元件材料SILICON

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KSA643
PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR
LOW FREQUENCY POWER AMPLIFIER
Complement to KSD261
Collector Dissipation: P
C
=500mW
TO-92
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T
A
=25°C)
°
Characteristic
Collector-Base Voltage
Collector-Emitter Voltage
Emitter-Base Voltage
Collector Current (DC)
Collector Current (pulse)*
Collector Dissipation
Junction Temperature
Storage Temperature
* PW≤10ms, Duty cycle≤50%
1. Emitter 2. Base 3. Collector
Symbol
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
(DC)
I
C
(Pulse)*
P
C
T
J
T
STG
Rating
-40
-20
-5
-500
-700
500
150
-55 ~ 150
Unit
V
V
V
mA
mA
mW
°C
°C
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T
A
=25°C)
°
Characteristic
Collector-Base Breakdown Voltage
Collector-Emitter Breakdown Voltage
Emitter-Base Breakdown Voltage
Collector Cut-off Current
Emitter Cut-off Current
DC Current Gain
Collector-Emitter Saturation Voltage
Base-Emitter Saturation Voltage
* Pulse Test: PW≤350µs, Duty cycle≤2%
Symbol
BV
CBO
BV
CEO
BV
EBO
I
CBO
I
EBO
h
FE
V
CE
(sat)
V
BE
(sat)
Test Conditions
I
C
= -100µA, I
E
=0
I
C
= -10mA, I
B
=0
I
E
= -10µA, I
C
=0
V
CB
= -25V, I
E
=0
V
EB
= -3V, l
C
=0
V
CE
= -1V, I
C
= -100mA *
IC= -500mA, IB= -50mA*
IC= -500mA, IB= -50mA*
Min
-40
-20
-5
-200
-200
400
- 0.4
-1.3
Typ
Max
Unit
V
V
V
nA
nA
V
V
40
-0.3
-1.0
h
FE
CLASSIFICATION
Classification
h
FE
R
40-80
O
70-140
Y
120-240
G
200-400
Rev. B
©
1999 Fairchild Semiconductor Corporation

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