PXT8550,PXT8550 pdf中文资料,PXT8550引脚图,PXT8550电路-Datasheet-电子工程世界

PXT8550: 产品描述25V,1.5A,General Purpose PNP Bipolar Transistor, Diodes, PNP, 25V, 1.5A, 85, 400, 1V; 产品类别分立半导体; 文件大小559KB，共4页; 制造商Galaxy Microelectronics

下载文档详细参数选型对比全文预览

PXT8550概述

25V,1.5A,General Purpose PNP Bipolar Transistor, Diodes, PNP, 25V, 1.5A, 85, 400, 1V

	PXT8550
描述	25V,1.5A,General Purpose PNP Bipolar Transistor, Diodes, PNP, 25V, 1.5A, 85, 400, 1V
厂商名称	Galaxy Microelectronics
零件包装代码	SOT-89
包装说明	SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3
Reach Compliance Code	unknown
外壳连接	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)	1.5 A
集电极-发射极最大电压	25 V
配置	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)	40
JESD-30 代码	R-PSSO-F3
元件数量	1
端子数量	3
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE
极性/信道类型	PNP
表面贴装	YES
端子形式	FLAT
端子位置	SINGLE
晶体管元件材料	SILICON
标称过渡频率 (fT)	100 MHz
极性	PNP
V(BR)CEO (V) min.	25
IC (A)	1.5
hFE min	85
hFE max	400
Condition1_VCE (V)	1
Condition1_IC (mA)	100
VCE (sat) (V)	0.5
Condition2_IC (mA)	800
Condition2_IB (mA)	80
fT (MHz) min.	100
PD (W) max.	0.5
AEC Qualified	No
最低工作温度	-55
MSL等级	3
是否无铅	Yes
符合Reach	Yes
符合RoHS	Yes
ECCN代码	EAR99
Package Outlines	SOT-89
最高工作温度	150

器件捷径: L0 L1 L2 L3 L4 L5 L6 L7 L8 L9 LA LB LC LD LE LF LG LH LI LJ LK LL LM LN LO LP LQ LR LS LT LU LV LW LX LY LZ M0 M1 M2 M3 M4 M5 M6 M7 M8 M9 MA MB MC MD ME MF MG MH MI MJ MK ML MM MN MO MP MQ MR MS MT MU MV MW MX MY MZ N0 N1 N2 N3 N4 N5 N6 N7 N8 NA NB NC ND NE NF NG NH NI NJ NK NL NM NN NO NP NQ NR NS NT NU NV NX NZ O0 O1 O2 O3 OA OB OC OD OE OF OG OH OI OJ OK OL OM ON OP OQ OR OS OT OV OX OY OZ P0 P1 P2 P3 P4 P5 P6 P7 P8 P9 PA PB PC PD PE PF PG PH PI PJ PK PL PM PN PO PP PQ PR PS PT PU PV PW PX PY PZ Q1 Q2 Q3 Q4 Q5 Q6 Q8 Q9 QA QB QC QE QF QG QH QK QL QM QP QR QS QT QV QW QX QY R0 R1 R2 R3 R4 R5 R6 R7 R8 R9 RA RB RC RD RE RF RG RH RI RJ RK RL RM RN RO RP RQ RR RS RT RU RV RW RX RY RZ