电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索
 PDF数据手册

1N5357B

产品描述20V,5000mW,Zener Diodes, Diodes, Single, 10%(suffix\"B\" for 5%), 20V, 65mA, 5000mW, NO
产品类别分立半导体   
文件大小494KB,共5页
制造商Galaxy Microelectronics
标准
下载文档 详细参数 全文预览

1N5357B在线购买

供应商 器件名称 价格 最低购买 库存  
1N5357B - - 点击查看 点击购买

1N5357B概述

20V,5000mW,Zener Diodes, Diodes, Single, 10%(suffix\"B\" for 5%), 20V, 65mA, 5000mW, NO

1N5357B规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称Galaxy Microelectronics
零件包装代码DO-27S
Reach Compliance Codeunknown
配置SINGLE
二极管类型ZENER DIODE
最大动态阻抗3 Ω
元件数量1
最高工作温度150 °C
最大功率耗散5 W
标称参考电压20 V
表面贴装NO
最大电压容差10%
工作测试电流65 mA
类别
容差10%(suffix\"B\" for 5%)
VZ (V) nom.20
Condition1_IT (mA)65
PD (mW) max5000
AEC QualifiedNO
最高工作温度150
最低工作温度-55
是否无铅
符合ReachYES
符合RoHSYES
Package OutlinesDO-27S

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 国产芯 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程 索引文件: 1007  1068  1218  1406  1595 

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved