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BR93H66RF-WE2

产品描述64 X 16 MICROWIRE BUS SERIAL EEPROM, PDSO8
产品类别存储    存储   
文件大小2MB,共41页
制造商ROHM(罗姆半导体)
官网地址https://www.rohm.com/
标准
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BR93H66RF-WE2概述

64 X 16 MICROWIRE BUS SERIAL EEPROM, PDSO8

64 × 16 总线串行电可擦除只读存储器, PDSO8

BR93H66RF-WE2规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
零件包装代码SOIC
包装说明LEAD FREE, SOP-8
针数8
Reach Compliance Codecompli
ECCN代码EAR99
最大时钟频率 (fCLK)1.25 MHz
数据保留时间-最小值40
耐久性1000000 Write/Erase Cycles
JESD-30 代码R-PDSO-G8
JESD-609代码e2
长度5 mm
内存密度4096 bi
内存集成电路类型EEPROM
内存宽度16
功能数量1
端子数量8
字数256 words
字数代码256
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度125 °C
最低工作温度-40 °C
组织256X16
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码LSOP
封装等效代码SOP8,.25
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE, LOW PROFILE
并行/串行SERIAL
峰值回流温度(摄氏度)260
电源3/5 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度1.6 mm
串行总线类型MICROWIRE
最大待机电流0.00001 A
最大压摆率0.0045 mA
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)2.7 V
标称供电电压 (Vsup)4 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级AUTOMOTIVE
端子面层Tin/Copper (Sn/Cu)
端子形式GULL WING
端子节距1.27 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间10
宽度4.4 mm
最长写入周期时间 (tWC)10 ms
写保护SOFTWARE
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