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APT10040LLC

产品描述Power Field-Effect Transistor, 25A I(D), 1000V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-264AA, TO-264, 3 PIN
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小36KB,共2页
制造商ADPOW
官网地址http://www.advancedpower.com/
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APT10040LLC概述

Power Field-Effect Transistor, 25A I(D), 1000V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-264AA, TO-264, 3 PIN

APT10040LLC规格参数

参数名称属性值
厂商名称ADPOW
包装说明FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Codeunknown
其他特性HIGH VOLTAGE
雪崩能效等级(Eas)3000 mJ
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压1000 V
最大漏极电流 (ID)25 A
最大漏源导通电阻0.4 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码TO-264AA
JESD-30 代码R-PSFM-T3
元件数量1
端子数量3
工作模式ENHANCEMENT MODE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
极性/信道类型N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)100 A
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON

APT10040LLC相似产品对比

APT10040LLC
描述 Power Field-Effect Transistor, 25A I(D), 1000V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-264AA, TO-264, 3 PIN
厂商名称 ADPOW
包装说明 FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code unknown
其他特性 HIGH VOLTAGE
雪崩能效等级(Eas) 3000 mJ
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 1000 V
最大漏极电流 (ID) 25 A
最大漏源导通电阻 0.4 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码 TO-264AA
JESD-30 代码 R-PSFM-T3
元件数量 1
端子数量 3
工作模式 ENHANCEMENT MODE
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR
封装形式 FLANGE MOUNT
极性/信道类型 N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM) 100 A
认证状态 Not Qualified
表面贴装 NO
端子形式 THROUGH-HOLE
端子位置 SINGLE
晶体管应用 SWITCHING
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