Variable Capacitance Diode, Very High Frequency to KA Band, 5.85pF C(T), 15V, Gallium Arsenide, Hyperabrupt
| 参数名称 | 属性值 |
| 厂商名称 | Thales Group |
| 包装说明 | O-XEMW-F2 |
| Reach Compliance Code | unknown |
| ECCN代码 | EAR99 |
| 最小击穿电压 | 15 V |
| 配置 | SINGLE |
| 二极管电容容差 | 20% |
| 标称二极管电容 | 5.85 pF |
| 二极管元件材料 | GALLIUM ARSENIDE |
| 二极管类型 | VARIABLE CAPACITANCE DIODE |
| 频带 | VERY HIGH FREQUENCY TO KA BAND |
| JESD-30 代码 | O-XEMW-F2 |
| 元件数量 | 1 |
| 端子数量 | 2 |
| 最高工作温度 | 85 °C |
| 最低工作温度 | -40 °C |
| 封装主体材料 | UNSPECIFIED |
| 封装形状 | ROUND |
| 封装形式 | MICROWAVE |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 最小质量因数 | 1500 |
| 最大反向电流 | 0.1 µA |
| 反向测试电压 | 10 V |
| 表面贴装 | YES |
| 端子形式 | FLAT |
| 端子位置 | END |
| 变容二极管分类 | HYPERABRUPT |
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